Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Low temperature Ni-Al ohmic contacts to p-TYPE 4H-SiC using semi-salicide processing
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik.ORCID-id: 0000-0002-7510-9639
Vise andre og tillknytning
2018 (engelsk)Inngår i: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017, Trans Tech Publications, 2018, Vol. 924, s. 389-392Konferansepaper, Publicerat paper (Fagfellevurdert)
Abstract [en]

Most semiconductor devices require low-resistance ohmic contact to p-type doped regions. In this work, we present a semi-salicide process that forms low-resistance contacts (~10-4 Ω cm2) to epitaxially grown p-type (>5×1018 cm-3) 4H-SiC at temperatures as low as 600 °C using rapid thermal processing (RTP). The first step is to self-align the nickel silicide (Ni2Si) at 600 °C. The second step is to deposit aluminium on top of the silicide, pattern it and then perform a second annealing step in the range 500 °C to 700 °C.

sted, utgiver, år, opplag, sider
Trans Tech Publications, 2018. Vol. 924, s. 389-392
Serie
Materials Science Forum, ISSN 0255-5476 ; 924
Emneord [en]
Ni-Al, P-type ohmic contact, Rapid thermal processing (RTP), Silicon carbide (4H-SiC), Transfer length method (TLM)
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-238393DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.389Scopus ID: 2-s2.0-85049019579ISBN: 9783035711455 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-238393DiVA, id: diva2:1261627
Konferanse
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017, Columbia, United States, 17 September 2017 through 22 September 2017
Merknad

QC 20181108

Tilgjengelig fra: 2018-11-08 Laget: 2018-11-08 Sist oppdatert: 2019-04-29bibliografisk kontrollert
Inngår i avhandling
1. SiC CMOS and memory devices for high-temperature integrated circuits
Åpne denne publikasjonen i ny fane eller vindu >>SiC CMOS and memory devices for high-temperature integrated circuits
2019 (engelsk)Doktoravhandling, med artikler (Annet vitenskapelig)
Abstract [en]

High-temperature electronics find use in extreme environments, like data logging in downhole drilling for geothermal energy production, inside of high-temperature turbines, industrial gas sensors and space electronics. The simplest systems use a sensor and a transmitter, but more advance electronic systems would additionally require a microcontroller with memory. Silicon carbide (4H-SiC) integrated circuits target high-temperature electronics, although the current integration level is low due to immature process technology and non-volatile memory has not been demonstrated. SiC CMOS would allow highly dense integrated circuits for microcontrollers and random access memory (RAM). Ferroelectric capacitors could serve as high-temperature non-volatile memory devices.

In this work, significant efforts have been taken to develop a SiC CMOS process and ferroelectric capacitors. SiC CMOS is challenging and mostly unexplored technology. A recessed channel transistor design was investigated. Several key challenges in the SiC CMOS process was identified, leading to a polyoxide-based field oxide, a deposited gate-dielectric process, reproducible Ni-Al semi-salicide contacts to p-type SiC, and a high-temperature CMP enabled two-level TiW-based metallisation. Self-aligned cobalt silicide contacts were investigated, and was found to produce low-resistance ohmic contactsto n-type SiC. Inverters and ring oscillators that operate at 200 °C were achieved in this recessed channel SiC CMOS process. It was found that steam-treating the gate oxide interface produced both NMOS and PMOS transistors that could be used for circuits. However, the reliability suffered due to poor PMOS performance. Wafer-level statistical measurements of interface trap density was performed on NMOS transistors treated by steam, dry oxygen and nitrided by nitrous oxide. A deposition and etch process for ferroelectric capacitors, using vanadium-doped bismuth titanate as ferroelectric material, was developed. High-temperature operation was demonstrated, and several scalability challenges for the etched process was identified.

The implication of this thesis is that while operational recessed channel SiC CMOS was demonstrated at high temperature, more promising technologies like ion implanted bulk transistors should be investigated instead, due to the numerous difficulties in optimising both NMOS and PMOS with this recessed channel design. The presented recessed channel process technology can be used to fabricate short channel length NMOS-logic. Ferroelectric capacitors is a good candidate for high-temperature non-volatile memory applications, although more work is needed in the CMOS integration.

Abstract [sv]

Högtemperaturelektronik används i extrema miljöer, såsom borrhålsloggning för geotermisk energiutvinning, inuti högtemperaturturbiner, industrigassensorer och rymdelektronik. De enklaste systemen använder sig av en sensor och en radio, men mer komplicerade system använder sig dessutom av en mikrokontroller med minne. Integrerade kretsar i kiselkarbidsteknik (4H-SiC) är lämpade för högtemperaturelektronik, men den nuvarande integrationsnivån är låg p.g.a. den nuvarande omogna processtekniken. Icke-flyktiga minnen för högtemperaturtillämpningar har inte demonstrerats. CMOS-elektronik i kiselkarbidsteknik (SiC CMOS) skulle möjliggöra mikrokontroller och direktminne (eng. random access memory, RAM) tack vare den höga integrationstätheten. Ferroelektriska kondensatorer kan fungera som icke-flyktiga minneskomponenter för högtemperaturtillämpningar.

Denna avhandling presenterar ett omfattande utvecklingsarbete av SiC CMOS och ferroelektriska kondensatorer. SiC CMOS är en utmanande och till stor del outforskad teknologi. En recessad kanal transistordesign undersöktes. Några nyckelutmaningar identifierades för SiC CMOS processen. Dessa utmaningarresulterade i en polyoxidbaserad fältoxid, en deponerad grinddielektrikumprocess, reproducerbara Ni-Al halv-självlinjerade kontakter till p-typ kiselkarbid, och en högtemperatur CMP-möjliggjord tvånivås titanvolframbaserad metallisering. En självlinjerad koboltsilicid-kontaktprocess undersöktes, och det visade sig att den gav lågresistiva ohmska kontakter till n-typ kiselkarbid. Inverterare och ringoscillatorer som fungerar vid 200 °C kunde demonstreras med denna recessad kanal transistordesign. Ångbehandlad grindoxidgränssnitt ger fungerande NMOS- och PMOS-transistorer som kunde användas för CMOS kretsar. Dock så led pålitligheten hos CMOS kretsarna p.g.a. PMOS transistorernas låga prestanda. Statistisk mätning av gränssnittsfälltäthet på skivnivå genomfördes för NMOS transistorer som hade blivit behandlade med ånga, torr syrgas och nitriderade via lustgas. En deponering- och etsprocess för tillverkning av ferroelektriska kondensatorer, där det ferroelektriska materialet var vanadiumdopat vismuttitanat, togs fram. Högtemperaturfunktionalitet påvisades, och flera nedskalningsutmaningar hos den etsade processen identifierades.

Trots att den recessade kanal SiC CMOS processen var bra nog för att demonstrera högtemperaturkretsar, så visar resultatet av denna avhandling att det kan finnas bättre alternativ till denna process. Inneboende processutmaningari transistordesignen i sig gör det svårt att optimera NMOS och PMOS transistorer som är bra nog för CMOS. Jonimplanterade bulktransistorer är mer lovande. Den utvecklade processen kan användas för att tillverka NMOS-logik med kortkanalstransistorer. Ferroelektriska kondensatorer är en lämplig kandidat som icke-flyktigt minne för högtemperaturtillämpningar, men mer arbete krävs för CMOS-integration.

sted, utgiver, år, opplag, sider
Stockholm: KTH Royal Institute of Technology, 2019. s. 241
Serie
TRITA-EECS-AVL ; 2019:42
Emneord
bismuth titanate (Bi4Ti3O12), CMOS, ferroelectric capacitor, field oxide, inverter, metallisation, metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), ohmic contacts, ring oscillator, semiconductor processing, silicon carbide (4H-SiC), CMOS, ferroelektrisk kondensator, fältoxid, halvledartillverkning, inverterare, kiselkarbid (4H-SiC), metallisering, MOSFET, ohmska kontakter, ringoscillator, vismuttitanat (Bi4Ti3O12)
HSV kategori
Forskningsprogram
Informations- och kommunikationsteknik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-250276 (URN)978-91-7873-180-0 (ISBN)
Disputas
2019-05-24, Sal B, Kistagången 16, Kista, 10:00 (engelsk)
Opponent
Veileder
Forskningsfinansiär
Knut and Alice Wallenberg Foundation, Working on VenusSwedish Foundation for Strategic Research , CMP Lab
Merknad

QC 20190428

Tilgjengelig fra: 2019-04-29 Laget: 2019-04-28 Sist oppdatert: 2019-04-29bibliografisk kontrollert

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Andre lenker

Forlagets fulltekstScopus

Personposter BETA

Ekström, MattiasHou, ShuobenElahipanah, HosseinSalemi, ArashÖstling, MikaelZetterling, Carl-Mikael

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Ekström, MattiasHou, ShuobenElahipanah, HosseinSalemi, ArashÖstling, MikaelZetterling, Carl-Mikael
Av organisasjonen

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetric

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 286 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf