kth.sePublikationer
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Bipolar integrated circuits in SiC for extreme environment operation
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
Visa övriga samt affilieringar
2017 (Engelska)Ingår i: Semiconductor Science and Technology, ISSN 0268-1242, E-ISSN 1361-6641, Vol. 32, nr 3, artikel-id 034002Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Silicon carbide (SiC) integrated circuits have been suggested for extreme environment operation. The challenge of a new technology is to develop process flow, circuit models and circuit designs for a wide temperature range. A bipolar technology was chosen to avoid the gate dielectric weakness and low mobility drawback of SiC MOSFETs. Higher operation temperatures and better radiation hardness have been demonstrated for bipolar integrated circuits. Both digital and analog circuits have been demonstrated in the range from room temperature to 500 °C. Future steps are to demonstrate some mixed signal circuits of greater complexity. There are remaining challenges in contacting, metallization, packaging and reliability.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Institute of Physics Publishing (IOPP), 2017. Vol. 32, nr 3, artikel-id 034002
Nyckelord [en]
bipolar technology, high temperature, integrated circuit, radiation hardness, SiC
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-208111DOI: 10.1088/1361-6641/aa59a7ISI: 000413488700001Scopus ID: 2-s2.0-85014543151OAI: oai:DiVA.org:kth-208111DiVA, id: diva2:1106269
Anmärkning

QC 20170607

Tillgänglig från: 2017-06-07 Skapad: 2017-06-07 Senast uppdaterad: 2024-03-15Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Person

Zetterling, Carl-MikaelHallén, AndersHedayati, RahelehMalm, B. GunnarRusu, AnaSuvanam, Sethu SavedaTian, YeÖstling, Mikael

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Zetterling, Carl-MikaelHallén, AndersHedayati, RahelehKargarrazi, SalehLanni, LuigiaMalm, B. GunnarRusu, AnaSuvanam, Sethu SavedaTian, YeÖstling, Mikael
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
Semiconductor Science and Technology
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 355 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf