Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
The impact of atomic layer depositions on high quality Ge/GeO2 interfaces fabricated by rapid thermal annealing in O-2 ambient
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik.ORCID-id: 0000-0001-6705-1660
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0002-5845-3032
2017 (Engelska)Ingår i: 2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2017 - Proceedings, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017, s. 164-166, artikel-id 7947553Konferensbidrag (Refereegranskat)
Abstract [en]

This work demonstrates high quality Ge/GeO2 interfaces fabricated by O-2 RTA that are degraded by a good quality SiO2 layer deposited by ALD. However, neither O-3 and H2O precursors commonly used during subsequent high-k ALDs nor Si precursor AP-LTO-330 do not degrade the interface. Thus Dit increase after SiO2 deposition is likely due to intermixing. Therefore, the effect of subsequent ALDs on the interface quality has to be considered while designing Ge-based gate stacks.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017. s. 164-166, artikel-id 7947553
Nyckelord [en]
Germanium, GeO2, high-k, ALD, D-it
Nationell ämneskategori
Annan materialteknik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-214907ISI: 000409022100069Scopus ID: 2-s2.0-85021891351ISBN: 978-1-5090-4660-7 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-214907DiVA, id: diva2:1151010
Konferens
2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2017, Toyama, Japan, 28 February 2017 through 2 March 2017
Forskningsfinansiär
Stiftelsen för strategisk forskning (SSF)
Anmärkning

QC 20171020

Tillgänglig från: 2017-10-20 Skapad: 2017-10-20 Senast uppdaterad: 2017-10-23Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Scopus

Personposter BETA

Hellström, Per-ErikÖstling, Mikael

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Zurauskaite, LauraHellström, Per-ErikÖstling, Mikael
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsarElektronik
Annan materialteknik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

isbn
urn-nbn
Totalt: 81 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf