Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Low-parasitic-capacitance self-aligned 4H-SiC nMOSFETs for harsh environment electronics
Visa övriga samt affilieringar
2018 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 924, s. 971-974Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Low-parasitic-capacitance 4H-SiC nMOSFETs using a novel self-aligned process were suggested and demonstrated. In these nMOSFETs, device characteristics including parasitic capacitances (gate-source, gate-drain, drain-source capacitance) were investigated and low parasitic capacitance was achieved by the self-aligned structure

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications, 2018. Vol. 924, s. 971-974
Nyckelord [en]
Harsh environment electronics, Self-aligned Process, SiC nMOSFET, Capacitance, Electric breakdown, MOSFET devices, Silicon carbide, Device characteristics, Drain sources, Harsh environment, Low-parasitic, NMOSFET, Parasitic capacitance, Self aligned process, Self aligned structure, Fluorine compounds
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-236430DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.924.971Scopus ID: 2-s2.0-85049049901ISBN: 9783035711455 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-236430DiVA, id: diva2:1258777
Anmärkning

QC 20181025

Tillgänglig från: 2018-10-25 Skapad: 2018-10-25 Senast uppdaterad: 2018-10-25Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Östling, MikaelZetterling, Carl-Mikael

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Östling, MikaelZetterling, Carl-Mikael
Av organisationen
Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS)Integrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
Materials Science Forum
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 295 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf