Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Electrically active point defects in n-type 4H–SiC
KTH, Tidigare Institutioner, Elektronik.
KTH, Tidigare Institutioner, Elektronik.ORCID-id: 0000-0002-0292-224X
KTH, Tidigare Institutioner, Elektronik.
KTH, Tidigare Institutioner, Elektronik.
Visa övriga samt affilieringar
1998 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 84, nr 3, s. 61-68Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

An electrically active defect has been observed at a level position of ∼ 0.70 eV below the conduction band edge (Ec) with an extrapolated capture cross section of ∼ 5×10−14 cm2 in epitaxial layers of 4H–SiC grown by vapor phase epitaxy with a concentration of approximately 1×1013 cm−3. Secondary ion mass spectrometry revealed no evidence of the transition metals Ti, V, and Cr. Furthermore, after electron irradiation with 2 MeV electrons, the 0.70 eV level is not observed to increase in concentration although three new levels are observed at approximately 0.32, 0.62, and 0.68 eV below Ec with extrapolated capture cross sections of 4×10−14, 4×10−14, and 5×10−15 cm2, respectively. However, the defects causing these levels are unstable and decay after a period of time at room temperature, resulting in the formation of the 0.70 eV level. Our results suggest strongly that the 0.70 eV level originates from a defect of intrinsic nature. The unstable behavior of the electron irradiation-induced defects at room temperature has not been observed in the 6H–SiC polytype.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1998. Vol. 84, nr 3, s. 61-68
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-13025DOI: 10.1063/1.368247OAI: oai:DiVA.org:kth-13025DiVA, id: diva2:320276
Anmärkning

QC 20100524

Tillgänglig från: 2010-05-24 Skapad: 2010-05-24 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. Compound semiconductors: defects and relocation of atoms during growth sputtering and diffusion
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>Compound semiconductors: defects and relocation of atoms during growth sputtering and diffusion
1997 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Stockholm: KTH, 1997. s. viii, 48
Serie
Trita-FTE, ISSN 0284-0545 ; 1997:10
Nyckelord
secondary ion mass spectrometry (SIMS), cascade mixing, redistribution, diffusion, defects, passivation, SiC, A1xGa1-xAs
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-2545 (URN)99-2452010-6 (ISBN)
Disputation
1997-09-08, 00:00 (Engelska)
Anmärkning
QC 20100524Tillgänglig från: 2000-01-01 Skapad: 2000-01-01 Senast uppdaterad: 2010-05-24Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Linnarsson, Margareta K.Nordell, N.

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Linnarsson, Margareta K.Pellegrino, PaoloNordell, N.
Av organisationen
Elektronik
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 198 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf