Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Investigation of the interface properties of MOVPE grown AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures on sapphire
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Centra, Electrumlaboratoriet, ELAB.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Centra, Electrumlaboratoriet, ELAB.ORCID-id: 0000-0002-0977-2598
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Centra, Electrumlaboratoriet, ELAB.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Centra, Electrumlaboratoriet, ELAB.
Visa övriga samt affilieringar
2006 (Engelska)Ingår i: Thin Solid Films, ISSN 0040-6090, E-ISSN 1879-2731, Vol. 515, nr 2, s. 705-707Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We have developed a virtual GaN substrate on sapphire based on a two-step growth method. By optimizing the growth scheme for the virtual substrate we have improved crystal quality and reduced interface roughness. Our Al0.22Ga0.78N/GaN HEMT structure grown on the optimized semi-insulating GaN virtual substrate, exhibits Hall mobilities as high as 1720 and 7350 cm(2)/Vs and sheet carrier concentrations of 8.4 x 1012 and 10.0 x 1012 cm(-2) at 300 K and 20 K, respectively The presence of good AlGaN/GaN interface quality and surface morphology is also substantiated by X-Ray reflectivity and Atomic Force Microscopy measurements. A simplified transport model is used to fit the experimental Hall mobility.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2006. Vol. 515, nr 2, s. 705-707
Nyckelord [en]
MOVPE, HEMT, scattering, interface roughness, X-ray reflectivity, dislocations, CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION, GAN, HETEROSTRUCTURES
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-13646DOI: 10.1016/j.tsf.2006.04.052ISI: 000241220600078Scopus ID: 2-s2.0-33748909151OAI: oai:DiVA.org:kth-13646DiVA, id: diva2:326308
Anmärkning
QC 20100622Tillgänglig från: 2010-06-22 Skapad: 2010-06-22 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. Gallium nitride templates and its related materials for electronic and photonic devices
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>Gallium nitride templates and its related materials for electronic and photonic devices
2008 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Abstract [en]

 

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Stockholm: KTH, 2008. s. xiv, 89
Serie
Trita-ICT/MAP AVH, ISSN 1653-7610 ; 2008:8
Nyckelord
GaN, heteroepitaxy of GaN, BGaAlN, Fe doped GaN, HEMT, carrier capture cross section, intersubband transition modulator
Nationell ämneskategori
Materialteknik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-4759 (URN)978-91-7178-981-5 (ISBN)
Disputation
2008-06-05, N2, Electrum 3, Isafjordsgatan 28 A/D, Kista, 10:15
Opponent
Handledare
Anmärkning
QC 20100623Tillgänglig från: 2008-05-16 Skapad: 2008-05-16 Senast uppdaterad: 2010-09-20Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Lourdudoss, Sebastian

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Aggerstam, ThomasLourdudoss, SebastianRadamson, Henry H.Sjödin, Mikael
Av organisationen
Electrumlaboratoriet, ELAB
I samma tidskrift
Thin Solid Films
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 370 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf