Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Growth of GaN by metal organic vapor phase epitaxy on ZnO-buffered c-sapphire substrates
Georgia Inst Technol, Georgia Tech, Metz, France.
Nanovat SARL, Orsay, France; Univ Technol Troyes, France.
Nanovat SARL, Orsay; Univ Technol Troyes.
Univ Metz.
Visa övriga samt affilieringar
2008 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 310, nr 5, s. 944-947Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The materials quality and availability of large-area bulk GaN substrates is currently considered a key problem for the continuing development of improved GaN-based devices. Since industrial fabrication of bulk GaN substrates with suitable materials quality has proven very difficult, the opto-GaN industry is currently based on heteroepitaxy using either c-sapphire or 6H SiC substrates. ZnO is promising as a substrate material for GaN because it has the same wurtzite structure and a relatively small lattice mismatch (similar to 1.8%). In this study, we have successfully grown GaN by MOVPE on ZnO-buffered c-sapphire. The growth conditions required to both prevent ZnO degradation and grow monocrystal thin film of GaN have been obtained. SEM, HRXRD and micro-Raman characterizations underlined the presence of the two layers GaN and ZnO with high structural quality.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. Vol. 310, nr 5, s. 944-947
Nyckelord [en]
MOVPE, GaN, ZnO, LAYERS
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-13694DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.137ISI: 000254428100016Scopus ID: 2-s2.0-39549115245OAI: oai:DiVA.org:kth-13694DiVA, id: diva2:326597
Anmärkning
QC 20100623Tillgänglig från: 2010-06-23 Skapad: 2010-06-23 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. Gallium nitride templates and its related materials for electronic and photonic devices
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>Gallium nitride templates and its related materials for electronic and photonic devices
2008 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Abstract [en]

 

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Stockholm: KTH, 2008. s. xiv, 89
Serie
Trita-ICT/MAP AVH, ISSN 1653-7610 ; 2008:8
Nyckelord
GaN, heteroepitaxy of GaN, BGaAlN, Fe doped GaN, HEMT, carrier capture cross section, intersubband transition modulator
Nationell ämneskategori
Materialteknik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-4759 (URN)978-91-7178-981-5 (ISBN)
Disputation
2008-06-05, N2, Electrum 3, Isafjordsgatan 28 A/D, Kista, 10:15
Opponent
Handledare
Anmärkning
QC 20100623Tillgänglig från: 2008-05-16 Skapad: 2008-05-16 Senast uppdaterad: 2010-09-20Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Aggerstam, Thomas
Av organisationen
Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
I samma tidskrift
Journal of Crystal Growth
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 76 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf