Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Formation of shallow source/drain junctions in MOSFET structures by using Cl-based processes in reduced pressure CVD reactors
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0002-5845-3032
2006 (Engelska)Ingår i: Physica Scripta, ISSN 0031-8949, E-ISSN 1402-4896, Vol. T126, s. 97-100Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A novel process to form shallow junctions for source) drain application in CMOS structures is presented. The method consists of two steps; first an HCl-etch followed by SiCl2H2-based selective epitaxy in the same run in a reduced pressure chemical vapour deposition chamber. Optimization of etch and epitaxy processes have been investigated and the active dopant concentration in SiGe layers grown was measured directly in the device openings.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2006. Vol. T126, s. 97-100
Nyckelord [en]
epitaxial-growth, gas-phase, silicon, films
Nationell ämneskategori
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-16277DOI: 10.1088/0031-8949/2006/T126/022ISI: 000246789700023Scopus ID: 2-s2.0-42349088480OAI: oai:DiVA.org:kth-16277DiVA, id: diva2:334319
Anmärkning
QC 20100525 QC 20110927. Conference: 21sth Nordic Semiconductor Meeting. Sundvolden, NORWAY. AUG 18-19, 2005 Tillgänglig från: 2010-08-05 Skapad: 2010-08-05 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Radamson, HenryHållstedt, JuliusIsheden, ChristianÖstling, Mikael
Av organisationen
Mikroelektronik och Informationsteknik, IMITIntegrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
Physica Scripta
Fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 66 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf