Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Threshold voltage variation in SOI Schottky-barrier MOSFETs
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
Visa övriga samt affilieringar
2008 (Engelska)Ingår i: IEEE Transactions on Electron Devices, ISSN 0018-9383, E-ISSN 1557-9646, Vol. 55, nr 3, s. 858-865Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The inhomogeneity of Schottky-barrier (SB) height Phi(B) is found to strongly affect the threshold voltage V-th Of SB-MOSFETs fabricated in ultrathin body silicon-on-insulator (SOI). The magnitude of this influence is dependent on gate oxide thickness t(ox) and SOI body thickness t(si); the contribution of inhomogeneity to the V-th variation becomes less pronounced with smaller t(ox) and/or larger t(si). Moreover, an enhanced V-th variation is observed for devices with dopant segregation used for reduction of the effective Phi(B). Furthermore, a multigate structure is found to help suppress the V-th variation by improving carrier injection through reduction of its sensitivity to the Phi(B) inhomogeneity. A new method for extraction of Phi(B) from room temperature transfer characteristics is also presented.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. Vol. 55, nr 3, s. 858-865
Nyckelord [en]
ambioplar, Schottky barrier inhomogeneity, Schottky barrier MOSFET, silicon-on-insulator, threshold voltage, height distribution, electron-transport, performance, gate
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-17345ISI: 000253505800022Scopus ID: 2-s2.0-40949085668OAI: oai:DiVA.org:kth-17345DiVA, id: diva2:335389
Anmärkning

QC 20100525

Tillgänglig från: 2010-08-05 Skapad: 2010-08-05 Senast uppdaterad: 2017-06-02Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Scopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Zhang, Shi-Li
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
IEEE Transactions on Electron Devices

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 61 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf