Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
High frequency performance of SiGeCHBTs with selectively & non-selectively grown collector
KTH, Tidigare Institutioner, Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
KTH, Tidigare Institutioner, Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
KTH, Tidigare Institutioner, Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
KTH, Tidigare Institutioner, Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
Visa övriga samt affilieringar
2004 (Engelska)Ingår i: Physica Scripta, ISSN 0031-8949, E-ISSN 1402-4896, Vol. T114, s. 138-141Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Two high-frequency heterojunction bipolar transistor (HBT) architectures based on SiGeC have been fabricated and characterized. Different collector designs were applied either by using selective epitaxial growth doped with phosphorous or by non-selective epitaxial growth doped with arsenic. Both designs have a non-selectively deposited SiGeC base doped with boron and a poly-crystalline emitter doped with phosphorous. Both HBT designs exhibit similar electrical characteristics with a peak DC current gain of around 1600 and a BVCEO of 1.8V. The cut-off frequency (f(T)) and maximum frequency of oscillation (f(max)) vary from 40-80 GHz and 15-30 GHz, respectively, depending on lateral design relations. Good high frequency performance for a device with a selectively grown collector is demonstrated for the first time.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2004. Vol. T114, s. 138-141
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-23236DOI: 10.1088/0031-8949/2004/T114/035ISI: 000204272000036Scopus ID: 2-s2.0-39549106473OAI: oai:DiVA.org:kth-23236DiVA, id: diva2:341934
Anmärkning
QC 20100525 QC 20111102Tillgänglig från: 2010-08-10 Skapad: 2010-08-10 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Malm, B. Gunnar

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Erdal, SuvarHaralson, ErikRadamson, Henry H.Wang, Yong-BinMalm, B. GunnarÖstling, Mikael
Av organisationen
Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT
I samma tidskrift
Physica Scripta
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 81 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf