Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Damage recovery in ZnO by post-implantation annealing
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0002-8760-1137
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0002-0292-224X
2010 (Engelska)Ingår i: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, ISSN 0168-583X, E-ISSN 1872-9584, Vol. 268, nr 11-12, s. 1842-1846Artikel i tidskrift (Övrigt vetenskapligt) Published
Abstract [en]

ZnO bulk samples were implanted with 200 key-Co ions at room temperature with two fluences, 1 x 10(16) and 8 x 10(16) cm(-2), and then annealed in air for 30 min at different temperatures up to 900 degrees C. After the implantation and each annealing step, the samples were analyzed by Rutherford backscattering spectrometry (RBS) in random and channeling directions to follow the evolution of the disorder profile. The RBS spectra reveal that disorder is created during implantation in proportion to the Co fluence. The thermal treatments induce a disorder recovery, which is however, not complete after annealing at 900 degrees C, where about 15% of the damage remains. To study the Co profile evolution during annealing, the samples were, in addition to RBS, characterized by secondary ion mass spectrometry (SIMS). The results show that Co diffusion starts at 800 degrees C, but also that a very different behavior is seen for Co concentrations below and above the solubility limit. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2010. Vol. 268, nr 11-12, s. 1842-1846
Nyckelord [en]
ZnO, Ion implantation, RBS/channeling, SIMS, Radiation damage, Dopant diffusion
Nationell ämneskategori
Subatomär fysik Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-29697DOI: 10.1016/j.nimb.2010.02.032ISI: 000278702300033Scopus ID: 2-s2.0-77953137219OAI: oai:DiVA.org:kth-29697DiVA, id: diva2:397285
Konferens
19th International Conference on Ion Beam Analysis, Univ Cambridge, Cambridge, ENGLAND, SEP 07-11, 2009
Anmärkning
QC 20110214Tillgänglig från: 2011-02-14 Skapad: 2011-02-11 Senast uppdaterad: 2017-12-11Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Hallén, AndersLinnarsson, Margareta K.

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hallén, AndersLinnarsson, Margareta K.
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
Subatomär fysikAtom- och molekylfysik och optik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 258 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf