Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Diffusion of light elements in 4H-and 6H-SiC
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT).ORCID-id: 0000-0002-0292-224X
Visa övriga samt affilieringar
1999 (Engelska)Ingår i: Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology, ISSN 0921-5107, E-ISSN 1873-4944, Vol. 61-2, s. 275-280Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Deuterium and lithium were introduced in p-type SiC by implantation of 20 keV H-2(+) or 30 keV Li-7(+) ions in order to form a diffusion source. The samples were subsequently annealed in vacuum in the temperature range 400-700 degrees C for 0.25 to 16 h. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) was used to measure the deuterium and the lithium distribution after heat treatments. Both deuterium and lithium readily decorate the bombardment-induced defects in the vicinity of the ion implantation profile and they are also trapped, most likely by residual boron impurities, during diffusion into the bulk. An effective diffusion coefficient, reflecting the dissociation of trapped lithium, with an activation energy of 2.1 eV is extracted for lithium diffusion in p-type 6H SIG. Furthermore, a capture radius for trapping (most likely by boron) of deuterium is estimated as 10 Angstrom. (C) 1999 Elsevier Science S.A. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1999. Vol. 61-2, s. 275-280
Nyckelord [en]
diffusion; deuterium; lithium; secondary ion mass spectrometry; silicon carbide
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-60814DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00517-0Scopus ID: 2-s2.0-0032691093OAI: oai:DiVA.org:kth-60814DiVA, id: diva2:481514
Anmärkning

2nd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 98), MONTPELLIER, FRANCE, SEP 02-04, 1998 NR 20140805

Tillgänglig från: 2012-01-21 Skapad: 2012-01-15 Senast uppdaterad: 2020-03-10Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Linnarsson, M KNordell, N

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Linnarsson, M KNordell, N
Av organisationen
Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
I samma tidskrift
Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 47 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf