Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Photoluminescence study of CVD layers highly doped with nitrogen
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT).ORCID-id: 0000-0002-0292-224X
2000 (Engelska)Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2, 2000, Vol. 338-3, s. 619-622Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

From a systematic study of highly doped n-type 4H-SiC epilayers we observe a photoluminescence spectrum, which was previously associated with the recombination of a bound exciton at the neutral boron acceptor. Electrical measurements performed on these layers show clearly n-type conductivity. It was feasible to dope and measure reproducibly the layers from low 10(17) to mid 10(18) cm(-3). It was not possible to determine the doping from Capacitance Voltage measurements for the samples grown with the highest doping (>6.10(18) cm(-3)). However Secondary Ion Mass spectrometry did not reveal any boron impurities in the layers and shows good agreement with electrical measurements regarding the nitrogen concentration.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2000. Vol. 338-3, s. 619-622
Serie
MATERIALS SCIENCE FORUM
Nyckelord [en]
Mott transition; n-type doping; photoluminescence
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-60807OAI: oai:DiVA.org:kth-60807DiVA, id: diva2:481522
Anmärkning
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, RES TRIANGLE PK, NORTH CAROLINA, OCT 10-15, 1999 NR 20140805Tillgänglig från: 2012-01-21 Skapad: 2012-01-15 Senast uppdaterad: 2012-01-21Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Linnarsson, M K

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Linnarsson, M K
Av organisationen
Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 25 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf