Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Influence of growth parameters on the nitrogen incorporation in 4H- And 6H-SiC epilayers grown by hot-wall chemical vapour deposition
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT).ORCID-id: 0000-0002-0292-224X
Visa övriga samt affilieringar
2001 (Engelska)Ingår i: Materials Research Society Symposium Proceedings, San Francisco, CA, 2001, Vol. 680, s. 73-78Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

We have investigated the nitrogen incorporation dependency on temperature, pressure, C/Si ratio and growth rate in a horizontal hot-wall CVD reactor. The incorporation mechanism for 4H- and 6H-SiC both for Si- and C-face material is presented. A comparison with previously published results in a cold-wall reactor is also made. © 2001 Materials Research Society.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
San Francisco, CA, 2001. Vol. 680, s. 73-78
Serie
2001 MRS Spring Meeting
Nyckelord [en]
Chemical vapor deposition, Epilayers, Growth rate, Nitrogen, Pressure effects, Thermal effects, Cold wall reactor, Hot wall chemical vapour deposition, Incorporation mechanism, Silicon carbide
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-63031OAI: oai:DiVA.org:kth-63031DiVA, id: diva2:481547
Anmärkning
References: Forsberg, U., Henry, A., Danielsson, O., Rorsman, N., Eriksson, J., Wahab, Q., Storasta, L., Janzén, E., (2000) Conference paper MRS, , Boston; Ekvi System 3.01 from Svensk EnergiData, B. Nolang, Dept. Of Inorganic Chemistry, Uppsala University, SwedenPrivate conversation with K. Larsson and J. Olander, Uppsala University, SwedenLofgren, P.M., Ji, W., Hallin, C., Gu, C.-Y., (2000) Journal of The Electrochemical Society, 147 (1), pp. 164-175; Larkin, D.J., Neudeck, P.G., Powell, J.A., Malus, L.G., (1994) Appl. Phys. Lett, 65 (13), pp. 1659-1661; Kimoto, T., Itoh, A., Matsunami, H., (1995) Appl. Phys. Lett, 67 (16), pp. 2385-2387 NR 20140805Tillgänglig från: 2012-01-21 Skapad: 2012-01-21 Senast uppdaterad: 2012-01-21Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-34249910907&partnerID=40&md5=9f47d0de7a9e20cb1dfeca17c4038304

Personposter BETA

Linnarsson, M. K.

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Linnarsson, M. K.
Av organisationen
Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 154 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf