Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Growth and characterisation of 4H-SiC MESFET structures grown by hot-wall CVD
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT).ORCID-id: 0000-0002-0292-224X
Visa övriga samt affilieringar
2001 (Engelska)Ingår i: Materials Research Society Symposium - Proceedings, Boston, MA, 2001, Vol. 640, s. H2.3.1-H2.3.6Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Metal semiconductor field effect transistor, MESFET, structures have been grown in a hot-wall CVD reactor. Using trimethylaluminium and nitrogen as dopant sources, p- and n-type epitaxial layers were grown on semi insulating substrates. A comprehensive characterization study of thickness and doping of these structures has been performed by using scanning electron microscopy, secondary ion mass spectrometry, capacitance-voltage measurements. Each technique is discussed concerning its advantage and disadvantage. Some transistor properties of MESFETs processed on the grown material are presented.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Boston, MA, 2001. Vol. 640, s. H2.3.1-H2.3.6
Serie
Silicon Carbide- Materials, Processing and Devices
Nyckelord [en]
Chemical reactors, Chemical vapor deposition, Electric variables measurement, Epitaxial growth, Interfaces (materials), Scanning electron microscopy, Secondary ion mass spectrometry, Semiconductor doping, Semiconductor growth, Silicon carbide, Capacitance-voltage measurement, Trimethylaluminum, MESFET devices
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-63032Scopus ID: 2-s2.0-0034877072OAI: oai:DiVA.org:kth-63032DiVA, id: diva2:481548
Konferens
Silicon Carbide- Materials, Processing and Devices; Boston, MA; United States; 27 November 2000 through 29 November 2000
Anmärkning

QC 20190515

Tillgänglig från: 2012-01-21 Skapad: 2012-01-21 Senast uppdaterad: 2019-05-15Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

ScopusPublisher

Personposter BETA

Henry, A.

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Henry, A.
Av organisationen
Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 28 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf