Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
2.8 kV, forward drop JBS diode with low leakage
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0001-8108-2631
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0002-5845-3032
Visa övriga samt affilieringar
2000 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 338-342, s. 1179-1182Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

High voltage Schottky-, Junction Barrier Schottky (JBS)- and PiN-diodes with an implanted JTE termination have been fabricated on the same 4H-SiC wafer. Blocking voltages of 2.5-2.8 kV were reached for JBS and PiN diodes while the Schottky diodes reach about 2.0 kV. It is shown that the JBS design increases the blocking voltage effectively compared to the Schottky device with less than 10% increase in on-state static losses. Also, a comparison of static losses to a PiN diode gives a decrease of 40% for the JBS. The leakage current is also lowered by two decades compared to the Schottky device at its blocking voltage. Temperature measurements show that the low leakage current is maintained up to at least 225 °C.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications Inc., 2000. Vol. 338-342, s. 1179-1182
Nyckelord [en]
Electric losses, Electric rectifiers, Leakage currents, Schottky barrier diodes, Semiconducting silicon compounds, Temperature measurement, Junction barrier Schottky (JBS) diodes, Silicon carbide
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-85420OAI: oai:DiVA.org:kth-85420DiVA, id: diva2:499826
Anmärkning
Sponsors: NASA Glenn Research Center; Air Force Research Laboratory; Office Naval Research; Director of Defence Research and Engineering NR 20140805Tillgänglig från: 2012-02-13 Skapad: 2012-02-13 Senast uppdaterad: 2017-12-07Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0342572423&partnerID=40&md5=1d5a8892deb94de13cab54b2fd7de25c

Personposter BETA

Zetterling, Carl-Mikael

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Zetterling, Carl-MikaelÖstling, Mikael
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
Materials Science Forum
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 140 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf