Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
A monolithic SiC drive circuit for SiC Power BJTs
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0003-3802-7834
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0001-8108-2631
2015 (Engelska)Ingår i: 2015 IEEE 27TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & IC'S (ISPSD), IEEE , 2015, s. 285-288Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Resurstyp
Text
Abstract [en]

Silicon Carbide (SiC) is an excellent candidate for high temperature electronics applications, thanks to its wide bandgap. SiC power BJTs are commercially available nowadays, and it is demanding to drive them efficiently. This paper reports on the design, layout specifics, and measurements results of a SiC drive integrated circuit (IC) designed for driving SiC power BJTs. The circuit has been tested in different loading conditions (resistive and capacitive), at switching frequencies up to 500kHz, and together with a commercial power BJT. The SiC drive IC is shown to have a robust operation over the entire temperature range from 25 degrees C to 500 degrees C.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE , 2015. s. 285-288
Serie
Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, ISSN 1063-6854
Nyckelord [en]
Silicon Carbide, Integrated circuits (ICs), Driving Power BJTs
Nationell ämneskategori
Datavetenskap (datalogi)
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-184073DOI: 10.1109/ISPSD.2015.7123445ISI: 000370717300070Scopus ID: 2-s2.0-84944675108ISBN: 978-1-4799-6261-7 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-184073DiVA, id: diva2:913898
Konferens
27th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), MAY 10-14, 2015, Hong Kong, PEOPLES R CHINA
Anmärkning

QC 20160322

Tillgänglig från: 2016-03-22 Skapad: 2016-03-22 Senast uppdaterad: 2018-01-10Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Rusu, AnaZetterling, Carl-Mikael

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kargarrazi, SalehLanni, LuigiaRusu, AnaZetterling, Carl-Mikael
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
Datavetenskap (datalogi)

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 51 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf