Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Analysis of Parasitic Elements of SiC Power Modules with Special Emphasis on Reliability Issues
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elkraftteknik.ORCID-id: 0000-0003-0570-9599
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elkraftteknik.ORCID-id: 0000-0001-6184-6470
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elkraftteknik.ORCID-id: 0000-0002-1755-1365
Visa övriga samt affilieringar
2016 (Engelska)Ingår i: 31st Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, APEC 2016, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2016, s. 1018-1023Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Commercially available Silicon Carbide (SiC) MOSFET power modules often have a design based on existing packages previously used for silicon insulated-gate bipolar transistors. However, these packages are not optimized to take advantage of the SiC benefits, such as, high switching speeds and high-temperature operation. The package of a half-bridge SiC MOSFET module has been modeled and the parasitic elements have been extracted. The model is validated through experiments. An analysis of the impact of these parasitic elements on the gate-source voltage on the chip has been performed for both low switching speeds and high switching speeds. These results reveal potential reliability issues for the gate-oxide if higher switching speeds are targeted.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2016. s. 1018-1023
Serie
Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), ISSN 1048-2334
Nyckelord [en]
Silicon Carbide (SiC), MOSFET, Power Modules, Reliability, Multichip Modules
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-198911DOI: 10.1109/APEC.2016.7467995ISI: 000388127301026Scopus ID: 2-s2.0-84973619427ISBN: 978-1-4673-9550-2 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-198911DiVA, id: diva2:1063030
Konferens
31st Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, APEC 2016, Long Beach Convention and Entertainment CenterLong Beach, United States, 20 March 2016 through 24 March 2016
Anmärkning

QC 20170109

Tillgänglig från: 2017-01-09 Skapad: 2016-12-22 Senast uppdaterad: 2017-01-09Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Sadik, Diane-PerleColmenares, JuanNee, Hans-Peter
Av organisationen
Elkraftteknik
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 54 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf