Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
MeV ion irradiation effects on the luminescence properties of Si-implanted SiO2-thin films
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik.ORCID-id: 0000-0003-2562-0540
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik.ORCID-id: 0000-0002-5260-5322
Visa övriga samt affilieringar
2016 (Engelska)Ingår i: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, ISSN 1862-6351, Vol. 13, nr 10-12, s. 921-926Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The effects of MeV heavy ion irradiation at varying fluence and flux on excess Si, introduced in SiO2 by keV ion implantation, are investigated by photoluminescence (PL). From the PL peak wavelength (λ) and decay lifetime (τ), two PL sources are distinguished: i) quasi-direct recombination of excitons of Si-nanoparticles (SiNPs), appearing after thermal annealing (λ > 720 nm, τ ∼ μs), and ii) fast-decay PL, possibly due to oxide-related defects (λ ∼ 575-690 nm, τ ∼ ns). The fast-decay PL (ii) observed before and after ion irradiation is induced by ion implantation. It is found that this fast-decay luminescence decreases for higher irradiation fluence of MeV heavy ions. After thermal annealing (forming SiNPs), the SiNP PL is reduced for samples irradiated by MeV heavy ions but found to stabilize at higher level for higher irradiation flux; the (ii) band vanishes as a result of annealing. The results are discussed in terms of the influence of electronic and nuclear stopping powers.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Wiley-VCH Verlagsgesellschaft, 2016. Vol. 13, nr 10-12, s. 921-926
Nyckelord [en]
ion implantation, MeV heavy ion irradiation, photoluminescence, silicon nanoparticle, Annealing, Ion bombardment, Irradiation, Luminescence, Nanoparticles, Radiation, Silicon, Silicon oxides, Direct recombination, KeV ion implantation, Luminescence properties, MeV ion irradiation, Nuclear stopping, Si nanoparticles, Silicon nanoparticles, Thermal-annealing, Heavy ions
Nationell ämneskategori
Astronomi, astrofysik och kosmologi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-201925DOI: 10.1002/pssc.201600077ISI: 000399448900040Scopus ID: 2-s2.0-84992456246OAI: oai:DiVA.org:kth-201925DiVA, id: diva2:1078066
Anmärkning

QC 20170302

Tillgänglig från: 2017-03-02 Skapad: 2017-03-02 Senast uppdaterad: 2017-06-02Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Sychugov, IlyaSuvanam, Sethu SavedaLinnros, Jan T.Hallén, Anders

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Sychugov, IlyaSuvanam, Sethu SavedaLinnros, Jan T.Hallén, Anders
Av organisationen
Material- och nanofysikIntegrerade komponenter och kretsarIntegrerade komponenter och kretsar
Astronomi, astrofysik och kosmologi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 356 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf