Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
500 degrees C High Current 4H-SiC Lateral BJTs for High-Temperature Integrated Circuits
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT).
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT).ORCID-id: 0000-0002-7510-9639
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik.
Visa övriga samt affilieringar
2017 (Engelska)Ingår i: IEEE Electron Device Letters, ISSN 0741-3106, E-ISSN 1558-0563, Vol. 38, nr 10, s. 1429-1432Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

High-current 4H-SiC lateral BJTs for hightemperature monolithic integrated circuits are fabricated. The BJTs have three different sizes and the designs are optimized in terms of emitter finger width and length and the device layout to have higher current density (J(C)), lower on-resistance (R-ON), and more uniform current distribution. A maximum current gain (beta) of >53 at significantly high current density was achieved for different sizes of SiC BJTs. The BJTs aremeasured fromroom temperature to 500 degrees C. An open-base breakdown voltage (V-CEO) of > 50 V is measured for the devices.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC , 2017. Vol. 38, nr 10, s. 1429-1432
Nyckelord [en]
4H-SiC, lateral BJT, high-current, monolithic integrated circuit
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-217444DOI: 10.1109/LED.2017.2737558ISI: 000413760600019Scopus ID: 2-s2.0-85028970986OAI: oai:DiVA.org:kth-217444DiVA, id: diva2:1158107
Anmärkning

QC 20171117

Tillgänglig från: 2017-11-17 Skapad: 2017-11-17 Senast uppdaterad: 2020-03-09Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Elahipanah, HosseinSalemi, ArashZetterling, Carl-Mikael

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Elahipanah, HosseinKargarrazi, SalehSalemi, ArashÖstling, MikaelZetterling, Carl-Mikael
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsarSkolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)Elektronik
I samma tidskrift
IEEE Electron Device Letters
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 371 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf