Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Trilayer Graphene as a Candidate Material for Phase-Change Memory Applications
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik. KTH, Centra, SeRC - Swedish e-Science Research Centre.ORCID-id: 0000-0002-8222-3157
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
Visa övriga samt affilieringar
2016 (Engelska)Ingår i: MRS Advances, ISSN 2316-7858, E-ISSN 1610-191X, Vol. 1, nr 20, s. 1487-1494Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

There is pressing need in computation of a universal phase change memory consolidating the speed of RAM with the permanency of hard disk storage. A potentiated scanning tunneling microscope tip traversing the soliton separating a metallic, ABA-stacked phase and a semiconducting ABC-stacked phase in trilayer graphene has been shown to permanently transform ABA-stacked regions to ABC-stacked regions. In this study, we used density functional theory (DFT) calculations to assess the energetics of this phase-change and explore the possibility of organic functionalization using s-triazine to facilitate a reverse phase-change from rhombohedral back to Bernal in graphene trilayers. A significant deviation in the energy per simulated atom arises when s-triazine is adsorbed, favoring the transformation of the ABC phase to the ABA phase once more. A phase change memory device utilizing rapid, energy-efficient, reversible, field-induced phase-change in graphene trilayers could potentially revolutionize digital memory industry.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Cambridge University Press, 2016. Vol. 1, nr 20, s. 1487-1494
Nationell ämneskategori
Fysikalisk kemi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-217091DOI: 10.1557/adv.2016.237ISI: 000412532600013Scopus ID: 2-s2.0-85041334901OAI: oai:DiVA.org:kth-217091DiVA, id: diva2:1158977
Anmärkning

QC 20171121

Tillgänglig från: 2017-11-21 Skapad: 2017-11-21 Senast uppdaterad: 2018-02-12Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Elgammal, KarimHammar, MattiasÖstling, Mikael

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Atwa, Mohamed M.Alaskalany, AhmedElgammal, KarimSmith, Anderson D.Hammar, MattiasÖstling, Mikael
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsarMaterial- och nanofysikSeRC - Swedish e-Science Research Centre
I samma tidskrift
MRS Advances
Fysikalisk kemi

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 540 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf