Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
A wafer-scale Ni-salicide contact technology on n-type 4H-SiC
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik.ORCID-id: 0000-0002-7510-9639
Visa övriga samt affilieringar
2017 (Engelska)Ingår i: ECS Journal of Solid State Science and Technology, ISSN 2162-8769, E-ISSN 2162-8777, Vol. 6, nr 4, s. P197-P200Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A self-aligned Nickel (Ni) silicide process (Salicide) for n-type ohmic contacts on 4H-SiC is demonstrated and electrically verified in a wafer-scale device process. The key point is to anneal the contacts in two steps. The process is successfully employed on wafer-level and a contact resistivity below 5 × 10−6 Ω · cm2 is achieved. The influence of the proposed process on the oxide quality is investigated and no significant effect is observed. The proposed self-aligned technology eliminates the undesirable effects of the lift-off process. Moreover, it is simple, fast, and manufacturable at wafer-scale which saves time and cost.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Electrochemical Society, 2017. Vol. 6, nr 4, s. P197-P200
Nationell ämneskategori
Annan teknik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-219898DOI: 10.1149/2.0041705jssISI: 000418886800004Scopus ID: 2-s2.0-85036466021OAI: oai:DiVA.org:kth-219898DiVA, id: diva2:1166481
Anmärkning

QC 20171215

Tillgänglig från: 2017-12-15 Skapad: 2017-12-15 Senast uppdaterad: 2018-01-11Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Elahipanah, HosseinAsadollahi, AliEkström, MattiasSalemi, ArashZetterling, Carl-Mikael

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Elahipanah, HosseinAsadollahi, AliEkström, MattiasSalemi, ArashZetterling, Carl-MikaelÖstling, Mikael
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsarElektronik
I samma tidskrift
ECS Journal of Solid State Science and Technology
Annan teknik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 368 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf