Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Impact of H-uptake by forming gas annealing and ion implantation on photoluminescence of Si-nanoparticles
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik.ORCID-id: 0000-0003-2562-0540
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT).
Visa övriga samt affilieringar
2018 (Engelska)Ingår i: Physica Status Solidi (a) applications and materials science, ISSN 1862-6300, E-ISSN 1862-6319, Vol. 215, nr 3, artikel-id 1700444Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Silicon nanoparticles (SiNPs) are formed by implanting 70 keV Si+ into a SiO2-film and subsequent thermal annealing. SiNP samples are further annealed in forming gas. Another group of samples containing SiNP is implanted by 7.5 keV H+ and subsequently annealed in N2-atmosphere at 450 °C to reduce implantation damage. Nuclear reaction analysis (NRA) is employed to establish depth profiles of the H-concentration. Enhanced hydrogen concentrations are found close to the SiO2surface, with particularly high concentrations for the as-implanted SiO2. However, no detectable uptake of hydrogen is observed by NRA for samples treated by forming gas annealing (FGA). H-concentrations detected after H-implantation follow calculated implantation profiles. Photoluminescence (PL) spectroscopy is performed at room temperature to observe the SiNP PL. Whereas FGA is found to increase PL under certain conditions, i.e., annealing at high temperatures, increasing implantation fluence of H reduces the SiNP PL. Hydrogen implantation also introduces additional defect PL. After low-temperature annealing, the SiNP PL is found to improve, but the process is not found equivalently efficient as conventional FGA.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
John Wiley & Sons, 2018. Vol. 215, nr 3, artikel-id 1700444
Nyckelord [en]
H-quantification, nuclear reaction analysis, photoluminescence, silicon nanoparticles
Nationell ämneskategori
Nanoteknik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-219544DOI: 10.1002/pssa.201700444ISI: 000424387300006Scopus ID: 2-s2.0-85031427795OAI: oai:DiVA.org:kth-219544DiVA, id: diva2:1166895
Forskningsfinansiär
Vetenskapsrådet
Anmärkning

QC 20171219

Tillgänglig från: 2017-12-17 Skapad: 2017-12-17 Senast uppdaterad: 2018-02-22Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Sychugov, IlyaSuvanam, Sethu SavedaHallén, Anders

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Sychugov, IlyaSuvanam, Sethu SavedaLinnros, JanHallén, Anders
Av organisationen
Material- och nanofysikSkolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT)Integrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
Physica Status Solidi (a) applications and materials science
Nanoteknik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 541 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf