Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Compact Macrospin-Based Model of Three-Terminal Spin-Hall Nano Oscillators
KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0002-9919-9886
Department of Physics, University of Gothenburg.
KTH, Skolan för teknikvetenskap (SCI), Tillämpad fysik, Material- och nanofysik. Department of Physics, University of Gothenburg.ORCID-id: 0000-0002-3513-6608
KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0003-0565-9907
Visa övriga samt affilieringar
2019 (Engelska)Ingår i: IEEE transactions on magnetics, ISSN 0018-9464, E-ISSN 1941-0069, Vol. 55, nr 10, artikel-id 4003808Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Emerging spin-torque nano oscillators (STNOs) and spin-Hall nano oscillators (SHNOs) are potential candidates for microwave applications. Recent advances in three-terminal magnetic tunnel junction (MTJ)-based SHNOs opened the possibility to develop more reliable and well-controlled oscillators, thanks to individual spin Hall-driven precession excitation and read-out paths. To develop hybrid systems by integrating three-terminal SHNOs and CMOS circuits, an electrical model able to capture the analog characteristics of three-terminal SHNOs is needed. This model needs to be compatible with current electric design automation (EDA) tools. This work presents a comprehensive macrospin-based model of three-terminal SHNOs able to describe the dc operating point, frequency modulation, phase noise, and output power. Moreover, the effect of voltage-controlled magnetic anisotropy (VCMA) is included. The model shows good agreement with experimental measurements and could be used in developing hybrid three-terminal SHNO/CMOS systems.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE Press, 2019. Vol. 55, nr 10, artikel-id 4003808
Nyckelord [en]
Compact model, magnetic tunnel junction (MTJ), spin-Hall nano oscillator (SHNO)
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Forskningsämne
Elektro- och systemteknik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-259715DOI: 10.1109/TMAG.2019.2925781ISI: 000487191400001OAI: oai:DiVA.org:kth-259715DiVA, id: diva2:1353171
Forskningsfinansiär
Vetenskapsrådet
Anmärkning

QC 20190930

Tillgänglig från: 2019-09-20 Skapad: 2019-09-20 Senast uppdaterad: 2019-10-11Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(1081 kB)48 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 1081 kBChecksumma SHA-512
19bccfb62b62ca34ac015ec3c2db1ac835a9e577f9a314301d0665b17deba2974aa164d34ab6abb6b062276ba865b856f116455f26bb177bb6fd5b55514f6b36
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Åkerman, JohanRodriguez, SaulRusu, Ana

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Albertsson, Dagur IngiÅkerman, JohanRodriguez, SaulRusu, Ana
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsarMaterial- och nanofysik
I samma tidskrift
IEEE transactions on magnetics
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 48 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 226 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf