Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Electron and hole capture cross-sections of Fe acceptors in GaN:Fe epitaxially grown on sapphire
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Fotonik och optik, Optik.ORCID-id: 0000-0002-4606-4865
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.ORCID-id: 0000-0002-0292-224X
Visa övriga samt affilieringar
2007 (Engelska)Ingår i: Journal of Electronic Materials, ISSN 0361-5235, E-ISSN 1543-186X, Vol. 36, nr 12, s. 1621-1624Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Carrier trapping of Fe (3+)/Fe2+ deep acceptors in epitaxially grown GaN:Fe on sapphire was studied by time-resolved photoluminescence. For the investigated Fe doping levels on the order of 10(18) cm(-3), the luminescence decay times are strongly dependent on the Fe concentration, indicating that Fe centers act as predominant nonradiative recombination channels. Linear dependence of the decay time on the iron concentration allows estimation of the electron capture cross-section for the Fe3+ ions, which is equal to 1.9 x 10(-15) cm(2). The upper bound for the cross-section of the hole capture of Fe2+ was evaluated as 10 x 10(-15) cm

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2007. Vol. 36, nr 12, s. 1621-1624
Nyckelord [en]
GaN, Fe, semi-insulating, high electron mobility transistor (HEMT), deep acceptor, electron capture cross section, metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE), OPTICAL-PROPERTIES, LAYERS, LEVEL, IRON, INP
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-13653DOI: 10.1007/s11664-007-0202-9ISI: 000250884200014Scopus ID: 2-s2.0-36148953872OAI: oai:DiVA.org:kth-13653DiVA, id: diva2:326321
Anmärkning
QC 20100623Tillgänglig från: 2010-06-22 Skapad: 2010-06-22 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. Gallium nitride templates and its related materials for electronic and photonic devices
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>Gallium nitride templates and its related materials for electronic and photonic devices
2008 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Abstract [en]

 

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Stockholm: KTH, 2008. s. xiv, 89
Serie
Trita-ICT/MAP AVH, ISSN 1653-7610 ; 2008:8
Nyckelord
GaN, heteroepitaxy of GaN, BGaAlN, Fe doped GaN, HEMT, carrier capture cross section, intersubband transition modulator
Nationell ämneskategori
Materialteknik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-4759 (URN)978-91-7178-981-5 (ISBN)
Disputation
2008-06-05, N2, Electrum 3, Isafjordsgatan 28 A/D, Kista, 10:15
Opponent
Handledare
Anmärkning
QC 20100623Tillgänglig från: 2008-05-16 Skapad: 2008-05-16 Senast uppdaterad: 2010-09-20Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Marcinkevicius, SauliusLinnarsson, MargaretaLourdudoss, Sebastian

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Aggerstam, ThomasPinos, AndreaMarcinkevicius, SauliusLinnarsson, MargaretaLourdudoss, Sebastian
Av organisationen
Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAPOptik
I samma tidskrift
Journal of Electronic Materials
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 795 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf