Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on sapphire with Fe-doped GaN buffer layer by MOVPE
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Centra, Electrumlaboratoriet, ELAB.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Centra, Electrumlaboratoriet, ELAB.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Centra, Electrumlaboratoriet, ELAB.ORCID-id: 0000-0002-0977-2598
2006 (Engelska)Ingår i: Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics: Vol 3, No 6 / [ed] Hildebrandt S; Stutzmann M, 2006, Vol. 3, s. 2373-2376Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

A simple AlGaN/GaN HEMT structure without any interlayer on Fe-doped GaN (GaN:Fe) grown by LP-MOVPE in one single run on sapphire is demonstrated. The surface segregation of Fe in GaN occurring during growth is identified. Hall measurements yield 2DEG (two dimensional electron gas) mobilities of 1700 and 10700 cm2/Vs and sheet carrier concentrations of 5.1×10 12 and 5.7×1012 cm-2 at 300 K and 20 K, respectively. Good pinch-off current-voltage (ID-VD) characteristics is observed from AlGaN/GaN HEMTs. A maximum drain current density of 0.6 A/mm and a peak extrinsic transconductance of 200 mS/mm have been observed. The HEMT structure yields very good device isolation as indicated by an isolation current of ≀1 nA at 20 V.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2006. Vol. 3, s. 2373-2376
Serie
PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, ISSN 1610-1634 ; Volume: 3, Issue: 6
Nyckelord [en]
AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors; Device isolation; Drain current density; GaN buffer, Current density; Doping (additives); Electron gas; Gallium nitride; Iron; Semiconducting aluminum compounds; Silicon on sapphire technology, High electron mobility transistors
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-13656DOI: 10.1002/pssc.200565152ISI: 000239543600233Scopus ID: 2-s2.0-33746371379OAI: oai:DiVA.org:kth-13656DiVA, id: diva2:326495
Konferens
6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6), Bremen, GERMANY, AUG 28-SEP 02, 2005
Anmärkning
QC 20100623Tillgänglig från: 2010-06-23 Skapad: 2010-06-22 Senast uppdaterad: 2010-06-23Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. Gallium nitride templates and its related materials for electronic and photonic devices
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>Gallium nitride templates and its related materials for electronic and photonic devices
2008 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Abstract [en]

 

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Stockholm: KTH, 2008. s. xiv, 89
Serie
Trita-ICT/MAP AVH, ISSN 1653-7610 ; 2008:8
Nyckelord
GaN, heteroepitaxy of GaN, BGaAlN, Fe doped GaN, HEMT, carrier capture cross section, intersubband transition modulator
Nationell ämneskategori
Materialteknik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-4759 (URN)978-91-7178-981-5 (ISBN)
Disputation
2008-06-05, N2, Electrum 3, Isafjordsgatan 28 A/D, Kista, 10:15
Opponent
Handledare
Anmärkning
QC 20100623Tillgänglig från: 2008-05-16 Skapad: 2008-05-16 Senast uppdaterad: 2010-09-20Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Lourdudoss, Sebastian

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Aggerstam, ThomasSjödin, MikaelLourdudoss, Sebastian
Av organisationen
Electrumlaboratoriet, ELAB
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 410 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf