Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Electronic properties of intrinsic and heavily doped AlN and GaN
KTH, Skolan för industriell teknik och management (ITM), Materialvetenskap, Tillämpad materialfysik.ORCID-id: 0000-0002-9050-5445
2006 (Engelska)Ingår i: Journal de Physique IV: Colloque, ISSN 1155-4339, E-ISSN 1764-7177, Vol. 132, s. 105-110Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We present a theoretical study of the electronic structure, optical properties, and the effective masses of AlN and GaN based on the local density approximation (LDA) within the density functional theory (DFT), employing the first-principles, full-potential linearized augmented plane wave method. We also describe the effects on the electronic properties of the semiconductors due to heavily n- and p-type doping. The critical concentration N-c for the doping-induced metal-nonmetal (MNM) transition in both n- and p-type is calculated.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2006. Vol. 132, s. 105-110
Nyckelord [en]
band-gap, hexagonal gan, wurtzite inn, approximation, zincblende, systems
Nationell ämneskategori
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-15585DOI: 10.1051/jp4:2006132021ISI: 000236598300021Scopus ID: 2-s2.0-33744939445OAI: oai:DiVA.org:kth-15585DiVA, id: diva2:333626
Anmärkning
QC 20100525 QC 20111003. Conference: 10th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces. Univ Paul Cezanne, Aix en Provence, FRANCE. JUL 03-08, 2005Tillgänglig från: 2010-08-05 Skapad: 2010-08-05 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Persson, Clas

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Persson, Clas
Av organisationen
Tillämpad materialfysik
I samma tidskrift
Journal de Physique IV: Colloque
Fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 83 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf