Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
High-temperature dynamics, high-speed modulation, and transmission experiments using 1.3-mu m InGaAs single-mode VCSELs
Visa övriga samt affilieringar
2007 (Engelska)Ingår i: Journal of Lightwave Technology, ISSN 0733-8724, E-ISSN 1558-2213, Vol. 25, nr 9, s. 2791-2798Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

High-temperature dynamics, including small and large signal modulation response, of 1.28-ftm GaAs-based vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with highly strained InGaAs quantum wells have been investigated. The VCSELs are oxide-confined with a relatively large oxide aperture for high output power and have a surface relief for fundamental mode operation. An inverted surface relief is used to improve manufacturability and to suppress oxide modes that otherwise appear in VCSELs with a large detuning, between the cavity resonance and the gain peak. The size dependence of the modulation bandwidth and bandwidth limitations are. investigated. A VCSEL with an optimum combination of oxide aperture and surface relief diameters produces clear open eyes with an extinction ratio of > 6 dB at OC-48 and 10-GbE bit rates from 25 degrees C to 85 degrees C under constant drive conditions. The same VCSEL is also shown to be capable of eiror-free transmission (BER < 10(-9)) over 9 km of standard single-mode fiber under the same conditions.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2007. Vol. 25, nr 9, s. 2791-2798
Nyckelord [en]
high-speed modulation, InGaAs, inverted surface relief, single mode, vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL), surface-emitting lasers, oxide confined vcsels, 1.3 mu-m, suppression, relief
Nationell ämneskategori
Annan fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-16947DOI: 10.1109/jlt.2007.903308ISI: 000249350000060Scopus ID: 2-s2.0-34548625210OAI: oai:DiVA.org:kth-16947DiVA, id: diva2:334990
Anmärkning

QC 20100525

Tillgänglig från: 2010-08-05 Skapad: 2010-08-05 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. Materials and Processing Technologies for Advanced Electronic and Photonic Devices
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>Materials and Processing Technologies for Advanced Electronic and Photonic Devices
2014 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
stockholm: KTH Royal Institute of Technology, 2014. s. 84
Serie
TRITA-ICT/MAP AVH, ISSN 1653-7610 ; 2014:15
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-157138 (URN)978-91-7595-351-9 (ISBN)
Disputation
2014-12-17, Sal/Hal A, Electrum, KTH-ICT, Kista, 10:00 (Engelska)
Opponent
Handledare
Anmärkning

QC 20141208

Tillgänglig från: 2014-12-08 Skapad: 2014-12-07 Senast uppdaterad: 2014-12-08Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Hammar, Mattias

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Zhang, ZhenzhongBerggren, JesperHammar, Mattias
Av organisationen
Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
I samma tidskrift
Journal of Lightwave Technology
Annan fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 88 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf