Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Macroscopic defects in GaN/AlN multiple quantum well structures grown by MBE on GaN templates
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
Visa övriga samt affilieringar
2009 (Engelska)Ingår i: Microelectronics Journal, ISSN 0026-2692, Vol. 40, nr 2, s. 360-362Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We have used MBE to grow in AlN/GaN superlattices, with different number of periods, on 2.5-mu m-thick MOVPE-GaN templates to study the development of defects such as surface deformation due to strain. After growth the samples were studied by atomic force microscopy (AFM), transmission electron microscopy (TEM), XRD and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). The strain increased with the number of quantum wells (QWs) and eventually caused defects such as microcracks visible by optical microscopy at four or more QW periods. High-resolution TEM images showed shallow recessions on the surface (surface deformation) indicating formation of microcracks in the MQW region. The measured intersubband (IS) absorption linewidth from a four period structure was 97 meV, which is comparable with the spectrum from a 10 period structure at an absorption energy of similar to 700 meV. This indicates that the interface quality of the MQW is not substantially affected by the presence of cracks.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2009. Vol. 40, nr 2, s. 360-362
Nyckelord [en]
Intersubband, GaN, MBE, Surface cracks, Sapphire substrate, Template
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-31248DOI: 10.1016/j.mejo.2008.07.065ISI: 000263695100048Scopus ID: 2-s2.0-58749106589OAI: oai:DiVA.org:kth-31248DiVA, id: diva2:405606
Anmärkning
QC 20110323 Symposium on Wide Band Gap Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications held at the 2008 E-MRS Conference, Strasbourg, FRANCE, MAY, 2008Tillgänglig från: 2011-03-23 Skapad: 2011-03-11 Senast uppdaterad: 2011-03-23Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Lourdudoss, Sebastian

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Aggerstam, ThomasHolmström, PetterLourdudoss, SebastianThylen, Lars
Av organisationen
Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 231 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf