Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Current Gain Degradation in 4H-SiC Power BJTs
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0001-6459-749X
Visa övriga samt affilieringar
2011 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, ISSN 0255-5476, E-ISSN 1662-9752, Vol. 679-680, s. 702-705Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

SiC airs are very attractive for high power application, but long term stability is still problematic and it could prohibit commercial production of these devices. The aim of this paper is to investigate the current gain degradation in BJTs with no significant degradation of the on-resistance. Electrical measurements and simulations have been used to characterize the behavior of the BJT during the stress test. Current gain degradation occurs, the gain drops from 58 before stress to 43 after 40 hours, and, moreover, the knee current shows fluctuations in its value during the first 20 hours. Current gain degradation has been attributed to increased interface traps or reduced lifetime in the base-emitter region or small stacking faults in the base-emitter region, while fluctuations of the knee current might be due to stacking faults in the collector region.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications Inc., 2011. Vol. 679-680, s. 702-705
Nyckelord [en]
bipolar transistor, current gain degradation, interface traps, lifetime, stacking fault
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-35625DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.702ISI: 000291673500169Scopus ID: 2-s2.0-84953395323OAI: oai:DiVA.org:kth-35625DiVA, id: diva2:429469
Konferens
8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sundvolden Conf Ctr, Oslo, NORWAY, AUG 29-SEP 02, 2010
Anmärkning

QC 20150721

Tillgänglig från: 2011-07-04 Skapad: 2011-07-04 Senast uppdaterad: 2017-12-11Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Malm, B. GunnarZetterling, Carl-Mikael

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Buono, BenedettoGhandi, RezaDomeij, MartinMalm, B. GunnarZetterling, Carl-MikaelÖstling, Mikael
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
Materials Science Forum
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 321 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf