Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Impact of dry-etching induced damage in InP-based photonic crystals
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.ORCID-id: 0000-0002-4606-4865
Visa övriga samt affilieringar
2008 (Engelska)Ingår i: PHOTONIC CRYSTAL MATERIALS AND DEVICES VIII, 2008, Vol. 6989, s. U9890-U9890Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

In this work variations of the carrier lifetime in a GaInAsP/InP quantum well in two-dimensional PhC structures etched by Ar/Cl-2 chemically assisted ion beam etching as a function of the processing parameters is investigated. It is shown that the deposition conditions of the SiO2 mask material and its coverage as well as other process steps such as annealing affect the carrier lifetimes. However the impact of patterning the semiconductor on the carrier lifetime is dominant, showing over an order of magnitude reduction. For given PhC lattice parameters, the sidewall damage is shown to be directly related to the measured carrier lifetimes. A simple qualitative model based on sputtering theory and assuming a conical hole-shape development during etching is used to explain the experimental results.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. Vol. 6989, s. U9890-U9890
Serie
Proceedings of SPIE, ISSN 0277-786X ; 6989
Nyckelord [en]
dry-etching, damage, InP, silicon dioxide, quantum well photoluminescence, chemically assisted ion beam etching, sputtering, photonic crystal
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-36698DOI: 10.1117/12.781231ISI: 000257885400021Scopus ID: 2-s2.0-45149085492OAI: oai:DiVA.org:kth-36698DiVA, id: diva2:431013
Anmärkning
QC 20110714Tillgänglig från: 2011-07-14 Skapad: 2011-07-13 Senast uppdaterad: 2013-11-19Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Marcinkevicius, SauliusHe, Sailing

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Berrier, AudreyShi, YaochengSiegert, JörgMarcinkevicius, SauliusHe, SailingSrinivasan, Anand
Av organisationen
Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAPElektroteknisk teori och konstruktionHalvledarmaterial, HMA
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 425 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf