Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Intersubband photonic devices by group-III nitrides
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
Visa övriga samt affilieringar
2007 (Engelska)Ingår i: Optoelectronic Materials And Devices II / [ed] Nakano, Y, 2007, Vol. 6782, s. N7821-N7821Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

The characteristics of intersubband transitions in III-nitride quantum wells are promising for detectors and all-optical switches through a high intrinsic speed (similar to 1 THz), and can also provide a high optical saturation power and a desired small negative chirp parameter in electroabsorption modulators. The high LO-phonon energy allows to improve the operating temperature of THz emitters. Recent achievements and prospects for intersubband III-nitride photonic devices, mainly for lambda=1.55 mu m, are briefly reviewed. Further, means to enhance material quality by achieving crack-free growth of GaN/AlN multiple-quantum-well (MQW) structures, and by employing intersubband transitions in multiple-quantum-disk (MQD) structures incorporated into dislocation free GaN nanocolumns are discussed. We investigate the occurrence of cracks in MBE-grown GaN/AlN MQWs on GaN MOVPE templates with respect to the buffer layer, the number of QWs and the temperature reduction rate after growth. Intersubband absorption in GaN/AlN MQDs in the wavelength range 1.38-1.72 mu m is demonstrated in three samples grown on Si(111).

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2007. Vol. 6782, s. N7821-N7821
Serie
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, ISSN 0277-786X ; 6782
Nyckelord [en]
intersubband transition, electroabsorption modulator, quantum well infrared photodetector (QWIP), alloptical switch, quantum cascade laser, GaN, AlN, GaN template, nanocolumn, molecular beam epitaxy
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-39116DOI: 10.1117/12.754372ISI: 000253358300051Scopus ID: 2-s2.0-42549136075ISBN: 978-0-8194-6945-8 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-39116DiVA, id: diva2:439956
Konferens
Optoelectronic Materials and Devices II; Wuhan; 2 November 2007 through 5 November 2007
Tillgänglig från: 2011-09-09 Skapad: 2011-09-08 Senast uppdaterad: 2011-09-09Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Lourdudoss, Sebastian

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Holmström, PetterAggerstam, ThomasLourdudoss, SebastianThylén, Lars
Av organisationen
Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 43 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf