Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
High-power modular multilevel converters with SiC JFETs
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES). (Elektriska maskiner och effektelektronik)
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES). (Elektriska maskiner och effektelektronik)ORCID-id: 0000-0001-7922-3407
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES). (Elektriska maskiner och effektelektronik)
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES). (Elektriska maskiner och effektelektronik)
Visa övriga samt affilieringar
2010 (Engelska)Ingår i: 2010 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) / [ed] IEEE, IEEE , 2010, s. 2148-2155Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

This paper studies the possibility of building a Modular Multilevel Converter (M2C) using Silicon Carbide (SiC) switches. The main focus is on a theoretical investigation of the conduction losses of such a converter and a comparison to a corresponding converter with silicon insulated gate bipolar transistors. Both SiC BJTs and JFETs are considered and compared in order to choose the most suitable technology. One of the sub-modules of a down-scaled 10 kVA prototype M2C is replaced with a sub-module with SiC JFETs without anti-parallel diodes. It is shown that diode-less operation is possible with the JFETs conducting in the negative direction, leaving the possibility to use the body diode during the switching transients. Experimental waveforms for the SiC sub-module verify the feasibility during normal steady-state operation. The loss estimation shows that a 300 MW M2C for high-voltage direct current transmission would potentially have an efficiency of approximately 99,8 % if equipped with future 3.3 kV 1.2 kA SiC JFETs.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE , 2010. s. 2148-2155
Nyckelord [en]
Diode-less operation, High Voltage Direct-Current Transmission, Modular Multilevel Converter, SiC JFETs, Silicon Carbide
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Forskningsämne
SRA - Energi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-40608DOI: 10.1109/ECCE.2010.5618274Scopus ID: 2-s2.0-78650133596ISBN: 978-1-4244-5286-6 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-40608DiVA, id: diva2:441659
Konferens
ECCE 2010
Forskningsfinansiär
StandUp
Anmärkning
QC 20111005Tillgänglig från: 2011-09-17 Skapad: 2011-09-17 Senast uppdaterad: 2011-10-05Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Tolstoy, GeorgNee, Hans-Peter

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Peftitsis, DimosthenisTolstoy, GeorgAntonopoulos, AntoniosRabkowski, JacekÄngquist, LennartNee, Hans-Peter
Av organisationen
Skolan för elektro- och systemteknik (EES)
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 85 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf