Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Electrical conduction through a 2D InP-based photonic crystal - art. no. 63220J
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.ORCID-id: 0000-0001-6459-749X
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.ORCID-id: 0000-0002-5845-3032
Visa övriga samt affilieringar
2006 (Engelska)Ingår i: Tuning the Optic Response of Photonic Bandgap Structures III / [ed] Braun, PV; Weiss, SM, 2006, Vol. 6322, s. J3220-J3220Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

This work investigates the current transport across two-dimensional PhCs dry etched into InP-based low-index-contrast vertical structures using Ar/Cl-2 chemically assisted ion beam etching. The electrical conduction through the PhC field is influenced by the surface potential at the hole sidewalls, which is modified by dry etching. The measured current-voltage (I-V) characteristics are linear before but show a current saturation at higher voltages. This behaviour is confirmed by simulations performed by ISE-TCAD software. We investigate the dependence of the conductance of the PhC area as a function of the geometry of the photonic crystal as well as the material parameters. By comparing the experimental and simulated conductance of the PhC, we deduce that the Fermi level is pinned at 0.1 eV below the conduction band edge. The method presented here can be used for evaluating etching processes and surface passivation methods. It is also applicable for other material systems and sheds new light on current driven PhC tuning.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2006. Vol. 6322, s. J3220-J3220
Serie
PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE, ISSN 0277-786X ; 6322
Nyckelord [en]
photonic crystals, Fermi level pinning, Dry etching, CAIBE, InP, electrical conduction, tuning, surface potential
Nationell ämneskategori
Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-41965DOI: 10.1117/12.680017ISI: 000241987900013Scopus ID: 2-s2.0-33751040603ISBN: 978-081946401-9 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-41965DiVA, id: diva2:445683
Konferens
Conference on Tuning the Optic Response of Photonic Bandgap Structures III. San Diego, CA. AUG 14, 2006
Anmärkning

QC 20111004

Tillgänglig från: 2011-10-04 Skapad: 2011-10-04 Senast uppdaterad: 2012-09-24Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Malm, Gunnar

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Berrier, AudreyMulot, MikaelMalm, GunnarÖstling, MikaelAnand, Srinivasan
Av organisationen
Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT
Atom- och molekylfysik och optik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 147 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf