Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
The effect of hard nitridation on Al(2)O(3) using a radio frequency operated plasma cell
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
Visa övriga samt affilieringar
2011 (Engelska)Ingår i: Thin Solid Films, ISSN 0040-6090, E-ISSN 1879-2731, Vol. 519, nr 22, s. 7796-7802Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We report on an atomic force microscopy (AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) investigation of hard nitridation of sapphire (alpha.-Al(2)O(3)) substrate, using an Epi UNI-Bulb RF plasma cell at substrate temperatures ranging from 250 to 600 degrees C. Our results show that an AlN(1-x)O(x) layer forms on sapphire after extended nitridation at all temperatures, following a Stranski-Krastanov growth mode, with less islands forming at higher temperatures. We also observe a layer-dependent charging shift in XPS, separating smooth AlN(1-x)O(x) layers from rough AlN(1-x)O(x) islands due to their different electronic coupling to the substrate. Although the island growth is suppressed at higher temperatures, the surface roughness increases at higher temperatures as seen by AFM. We also observe sputtering effects with protrusions and pits.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2011. Vol. 519, nr 22, s. 7796-7802
Nyckelord [en]
Nitridation, Sapphire, Al(2)O(3), Radio-frequency plasma, X-ray photoelectron spectroscopy, Atomic force microscopy
Nationell ämneskategori
Materialteknik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-46861DOI: 10.1016/j.tsf.2011.04.227ISI: 000295057000030Scopus ID: 2-s2.0-80052122617OAI: oai:DiVA.org:kth-46861DiVA, id: diva2:454337
Forskningsfinansiär
Vetenskapsrådet
Anmärkning
QC 20111107Tillgänglig från: 2011-11-07 Skapad: 2011-11-07 Senast uppdaterad: 2017-12-08Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Agnarsson, BjörnGötelid, Mats
Av organisationen
Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
I samma tidskrift
Thin Solid Films
Materialteknik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 286 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf