Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Optimisation of seed and mask surfaces in epitaxial lateral overgrowth of indium phosphide on silicon for silicon photonics
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Materialfysik (Stängd 20120101), Halvledarmaterial, HMA (Stängd 20120101).
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Materialfysik (Stängd 20120101), Halvledarmaterial, HMA (Stängd 20120101).
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Materialfysik (Stängd 20120101), Halvledarmaterial, HMA (Stängd 20120101).
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Materialfysik (Stängd 20120101), Halvledarmaterial, HMA (Stängd 20120101).
Visa övriga samt affilieringar
2011 (Engelska)Ingår i: Conference Proceedings: International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, VDE VERLAG GMBH , 2011, s. 1-4Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

The effect of chemical mechanical polishing (CMP) on epitaxial lateral overgrowth (ELOG) of InP is investigated. To this end, silicon wafers with a seed layer of InP has been treated in two ways; by depositing SiO2 mask and polishing it prior to performing ELOG, and by growing additional InP directly on the InP/Si wafer and then polishing the InP layer prior to depositing and patterning SiO2 followed by subsequent ELOG. For InP seed, a two step process with Chemlox™ slurry and sodium hypochlorite mixed with citric acid-based slurry has been used whereas for SiO2 surface polishing, only one slurry was employed. Analysis of the ELOG layers has been carried out with atomic force microscope (AFM) and panchromatic cathodoluminescence (PC-CL) in-situ a scanning electron microscope (SEM). The results show that polishing the InP/Si layer has not only a beneficial effect on surface morphology of the ELOG layer but also on reduction of its defect density as a consequence of improved conditions for near-ideal coalescence.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
VDE VERLAG GMBH , 2011. s. 1-4
Serie
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. Proceedings, ISSN 1092-8669
Nyckelord [en]
Epitaxial growth, Indium phosphide, Scanning electron microscopy, Silicon, Slurries, Surface morphology
Nationell ämneskategori
Annan materialteknik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-79668Scopus ID: 2-s2.0-84863288246ISBN: 978-3-8007-3356-9 (tryckt)ISBN: 978-1-4577-1753-6 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-79668DiVA, id: diva2:496118
Konferens
2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, CSW/IPRM 2011; Berlin, Germany, 22-26 May, 2011
Anmärkning

QC 20120214

Tillgänglig från: 2012-02-09 Skapad: 2012-02-09 Senast uppdaterad: 2017-03-29Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Scopus

Personposter BETA

Lourdudoss, Sebastian

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Junesand, CarlHu, ChenWang, ZhechaoMetaferia, WondwosenLourdudoss, Sebastian
Av organisationen
Halvledarmaterial, HMA (Stängd 20120101)
Annan materialteknik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

isbn
urn-nbn
Totalt: 223 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf