Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Design optimization of InGaAsP-InGaAlAs 1.55 mu;m strain-compensated MQW lasers for direct modulation applications
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT. (Photonics)
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Materialfysik (Stängd 20120101), Halvledarmaterial, HMA (Stängd 20120101).
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT. (Photonics)
Visa övriga samt affilieringar
2004 (Engelska)Ingår i: Indium Phosphide and Related Materials, 2004. 16th IPRM. 2004 International Conference on, IEEE , 2004, s. 418-421Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

A comprehensive simulation study of InGaAsP (well)/InGaAlAs(barrier) 1.55 mu;m strain-compensated MQW lasers is presented. For MQWs, a uniform vertical distribution of holes is achieved due to a reduced effective hole confinement energy by optimizing the bandgap and strain of the barriers and p-doping in the active region. Some preliminary results are also presented for the manufactured lasers using these QWs indicating a good material platform.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE , 2004. s. 418-421
Serie
Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, ISSN 1092-8669
Nyckelord [en]
InGaAlAs, InGaAsP, MQW lasers
Nationell ämneskategori
Telekommunikation Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-89342DOI: 10.1109/ICIPRM.2004.1442745Scopus ID: 2-s2.0-23744446373ISBN: 0-7803-8595-0 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-89342DiVA, id: diva2:502913
Konferens
2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 16th IPRM; Kagoshima; 31 May 2004 through 4 June 2004
Anmärkning

QC 20120217

Tillgänglig från: 2012-02-14 Skapad: 2012-02-14 Senast uppdaterad: 2014-12-09Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Schatz, Richard

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Akram, NadeemSilfvenius, ChristoferBerggren, JesperKjebon, OlleSchatz, Richard
Av organisationen
Mikroelektronik och Informationsteknik, IMITHalvledarmaterial, HMA (Stängd 20120101)
TelekommunikationAtom- och molekylfysik och optik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 1535 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf