Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Broadband measurements of frequency noise spectrum in two section DBR laser
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP. KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT. (Photonics)ORCID-id: 0000-0003-3056-4678
1991 (Engelska)Ingår i: Electronics Letters, ISSN 0013-5194, E-ISSN 1350-911X, Vol. 27, s. 289-291Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The dependence of the frequency noise on the output power, the tuning current and the current modulation has been measured in a two electrode DBR laser from 30 MHz to 8 GHz. The frequency noise spectrum was fairly flat and decreased with increased output power at a rate faster than 1/P. At certain biasing levels, the noise increased and the relaxation peak was shifted towards lower frequencies when current was injected into the passive waveguide. Furthermore, the frequency noise was not affected by the current modulation.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1991. Vol. 27, s. 289-291
Nyckelord [en]
30 to 8 GHz;current modulation;frequency noise spectrum;output power;passive waveguide;relaxation peak;semiconductor laser;tuning current;two electrode laser;two section DBR laser;distributed feedback lasers;electron device noise;optical modulation;optical waveguides;random noise;semiconductor junction lasers;tuning;
Nationell ämneskategori
Telekommunikation Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-89274DOI: 10.1049/el:19910183OAI: oai:DiVA.org:kth-89274DiVA, id: diva2:503038
Anmärkning
NR 20140805Tillgänglig från: 2012-02-14 Skapad: 2012-02-14 Senast uppdaterad: 2017-12-07Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. On the Stability and Dynamics of Semiconductor Lasers
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>On the Stability and Dynamics of Semiconductor Lasers
1994 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
KTH Royal Institute of Technology, 1994
Serie
Trita-MVT, ISSN 0348-4467 ; 1994:1
Nationell ämneskategori
Telekommunikation Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-89578 (URN)
Disputation
1994-09-15, Kollegiesalen, KTH, Drottning Kristinas Väg, Stockholm, 10:00 (Engelska)
Opponent
Handledare
Anmärkning

QC 20130201

Tillgänglig från: 2013-02-01 Skapad: 2012-02-15 Senast uppdaterad: 2013-02-04Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Schatz, Richard

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Schatz, Richard
Av organisationen
Mikroelektronik och Informationsteknik, IMITMikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
I samma tidskrift
Electronics Letters
TelekommunikationAtom- och molekylfysik och optik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 102 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf