Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Pure frequency modulation or intensity modulation with suppressed frequency chirp using active Bragg reflector integrated laser
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP. KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT. (Photonics)ORCID-id: 0000-0003-3056-4678
1989 (Engelska)Ingår i: Electronics Letters, ISSN 0013-5194, E-ISSN 1350-911X, Vol. 25, s. 304-305Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The modulation properties of a laser structure which consists of an active Bragg reflector (300 mu m) integrated with an uncorrugated gain region (600 mu m) have been measured. The laser exhibited a flat FM response and very low spurious intensity modulation when modulating the current in the Bragg reflector. Furthermore, broadband intensity modulation with suppressed frequency chirp could also be achieved. An inhomogeneous linewidth enhancement factor alpha caused by the uneven carrier density distribution between the two sections gives a qualitative explanation to our results.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1989. Vol. 25, s. 304-305
Nyckelord [en]
300 micron;600 micron;active Bragg reflector integrated laser;broadband intensity modulation;flat FM response;inhomogeneous linewidth enhancement factor;intensity modulation;modulation properties;spurious intensity modulation;suppressed frequency chirp;uncorrugated gain region;uneven carrier density distribution;distributed Bragg reflector lasers;frequency modulation;optical modulation;semiconductor junction lasers;
Nationell ämneskategori
Telekommunikation Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-89273DOI: 10.1049/el:19890212OAI: oai:DiVA.org:kth-89273DiVA, id: diva2:503039
Anmärkning
NR 20140805Tillgänglig från: 2012-02-14 Skapad: 2012-02-14 Senast uppdaterad: 2017-12-07Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. On the Stability and Dynamics of Semiconductor Lasers
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>On the Stability and Dynamics of Semiconductor Lasers
1994 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
KTH Royal Institute of Technology, 1994
Serie
Trita-MVT, ISSN 0348-4467 ; 1994:1
Nationell ämneskategori
Telekommunikation Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-89578 (URN)
Disputation
1994-09-15, Kollegiesalen, KTH, Drottning Kristinas Väg, Stockholm, 10:00 (Engelska)
Opponent
Handledare
Anmärkning

QC 20130201

Tillgänglig från: 2013-02-01 Skapad: 2012-02-15 Senast uppdaterad: 2013-02-04Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Schatz, Richard

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Schatz, Richard
Av organisationen
Mikroelektronik och Informationsteknik, IMITMikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
I samma tidskrift
Electronics Letters
TelekommunikationAtom- och molekylfysik och optik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 147 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf