Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Measurement of a VPE-transported DFB laser with blue-shifted frequency modulation response from DC to 2 GHz
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP. KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT. (Photonics)ORCID-id: 0000-0003-3056-4678
Visa övriga samt affilieringar
1988 (Engelska)Ingår i: Electronics Letters, ISSN 0013-5194, E-ISSN 1350-911X, Vol. 24, s. 746-747Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The frequency modulation characteristics of a VPE-transported 1.53 mu;m wavelength GaInAsP-InP DFB semiconductor diode laser was measured. Below approximately 0.7 mW optical output power per facet, it exhibited a smooth, blue-shifted, frequency modulation response from DC to 2 GHz. In the modulation frequency range of 10 MHz to 100 MHz it exhibited a | Delta;f/ Delta;I| of 0.5-1.8 GHz/mA, depending on the biasing level

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1988. Vol. 24, s. 746-747
Nyckelord [en]
0 to 2 GHz; 0.7 mW; 1.53 micron; GaInAsP-InP; VPE-transported DFB laser; blue-shifted frequency modulation response; frequency modulation characteristics; modulation frequency range; optical output power; semiconductors; III-V semiconductors; distributed feedback lasers; frequency modulation; gallium arsenide; gallium compounds; indium compounds; optical communication equipment; optical modulation; semiconductor junction lasers; vapour phase epitaxial growth;
Nationell ämneskategori
Telekommunikation Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-89272OAI: oai:DiVA.org:kth-89272DiVA, id: diva2:503040
Anmärkning
NR 20140805Tillgänglig från: 2012-02-14 Skapad: 2012-02-14 Senast uppdaterad: 2017-12-07Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. On the Stability and Dynamics of Semiconductor Lasers
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>On the Stability and Dynamics of Semiconductor Lasers
1994 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
KTH Royal Institute of Technology, 1994
Serie
Trita-MVT, ISSN 0348-4467 ; 1994:1
Nationell ämneskategori
Telekommunikation Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-89578 (URN)
Disputation
1994-09-15, Kollegiesalen, KTH, Drottning Kristinas Väg, Stockholm, 10:00 (Engelska)
Opponent
Handledare
Anmärkning

QC 20130201

Tillgänglig från: 2013-02-01 Skapad: 2012-02-15 Senast uppdaterad: 2013-02-04Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Schatz, Richard

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Schatz, Richard
Av organisationen
Mikroelektronik och Informationsteknik, IMITMikroelektronik och tillämpad fysik, MAP
I samma tidskrift
Electronics Letters
TelekommunikationAtom- och molekylfysik och optik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 180 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf