Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Damage accumulation and annealing behavior in high fluence implanted MgZnO
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0002-8760-1137
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, ISSN 0168-583X, E-ISSN 1872-9584, Vol. 272, s. 426-429Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Molecular beam epitaxy grown MgxZn1-xO (x <= 0.3) layers were implanted at room temperature with 150 keV Er-166(+) ions in a fluence range of 5 x 10(15-)3 x 10(16) cm(-2). Evolution of ion-induced damage and structural changes were studied by a combination of Rutherford backscattering spectrometry, nuclear reaction analysis and time-of-flight elastic recoil detection analysis. Results show that damage production enhances in both Zn- and O-sublattices with increasing the Mg content in the MgZnO. However, MgZnO as well as pure ZnO exhibits a high degree of dynamic annealing and MgZnO can not be amorphized even at the highest ion fluence used. Annealing of heavily damaged ZnO leads to a strong surface erosion and thinning of the film. Increasing the Mg content suppresses the surface evaporation in high fluence implanted MgZnO but leads to a strong surface decomposition accompanied with a Mg-rich surface layer formation during post-implantation annealing.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2012. Vol. 272, s. 426-429
Nyckelord [en]
Ion implantation, Damage, Annealing, MgZnO
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-93402DOI: 10.1016/j.nimb.2011.01.115ISI: 000301159900098Scopus ID: 2-s2.0-84655170050OAI: oai:DiVA.org:kth-93402DiVA, id: diva2:515799
Anmärkning

QC 20120416

Tillgänglig från: 2012-04-16 Skapad: 2012-04-16 Senast uppdaterad: 2017-12-07Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Hallén, Anders

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hallén, Anders
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
Elektroteknik och elektronikFysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 186 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf