Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Comparison of post-growth carrier lifetime improvement methods for 4H-SiC epilayers
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0002-8760-1137
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: Silicon Carbide And Related Materials 2011, Pts 1 And 2, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 285-288Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

We compare two methods for post-growth improvement of bulk carrier lifetime in 4H-SiC: dry oxidations and implantations with either 12C or 14N, followed by high temperature anneals in Ar atmosphere. Application of these techniques to samples cut from the same wafer/epilayer yields 2- to 11-fold lifetime increases, with the implantation/annealing technique shown to give greater maximum lifetimes. The maximum lifetimes reached are ∼5 μs after 12C implantation at 600 °C and annealing in Ar for 180 minutes at 1500 °C. At higher annealing temperatures the lifetimes decreases, a result which differs from reports in the literature.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications Inc., 2012. Vol. 717-720, s. 285-288
Serie
Materials Science Forum, ISSN 0255-5476 ; 717-720
Nyckelord [en]
Annealing, Carrier lifetime, Implantation, Oxidation, Photon counting
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-100116DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.285ISI: 000309431000066Scopus ID: 2-s2.0-84861381864ISBN: 978-303785419-8 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-100116DiVA, id: diva2:543362
Konferens
14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011, ICSCRM 2011; Cleveland, OH;11 September 2011 through 16 September 2011
Anmärkning

QC 20120807

Tillgänglig från: 2012-08-07 Skapad: 2012-08-03 Senast uppdaterad: 2013-09-12Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Hallén, Anders

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hallén, Anders
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 162 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf