Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
The Role of the Parasitic Capacitance of the Inductorin Boost Converters with Normally-On SiC JFETs
Warsaw University of Technlogy.
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.ORCID-id: 0000-0002-1755-1365
2012 (Engelska)Ingår i: 2012 7th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC), IEEE conference proceedings, 2012, s. 1842-1847Konferensbidrag, Poster (med eller utan abstract) (Refereegranskat)
Abstract [en]

In this paper the impact of the parasitic capacitance ofthe inductor on the performance of a fast-switching boostconverters with SiC JFETs is discussed. Two inductor designs,one conventional and another with a space between the windinglayers, are investigated and their parasitic capacitances aremeasured by different methods. The air-gap between the windinglayers reduced the inductor self-capacitance more than 8 times.The two inductors were used in a 2 kW, 100 kHz boost converterwith a normally-on SiC JFET and their performance wascompared. When the inductor with a low self-capacitance wasused, there were fewer oscillations during the switchingtransients and the losses were reduced about 16 %.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE conference proceedings, 2012. s. 1842-1847
Nyckelord [en]
Silicon carbide, parasictic capacitanse, inductor design, DC-DC converter, Silicon Carbide, JFET
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-103053DOI: 10.1109/IPEMC.2012.6259118Scopus ID: 2-s2.0-84866778214ISBN: 978-1-4577-2085-7 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-103053DiVA, id: diva2:558144
Konferens
2012 IEEE 7th International Power Electronics and Motion Control Conference - ECCE Asia June 2-5, 2012, Harbin, China
Anmärkning

QC 20121005

Tillgänglig från: 2012-10-05 Skapad: 2012-10-02 Senast uppdaterad: 2012-10-05Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopusIEEEXplore

Personposter BETA

Nee, Hans-Peter

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Rabkowski, JacekKostov, KonstantinNee, Hans-Peter
Av organisationen
Elektrisk energiomvandling
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 128 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf