Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Substrate engineering for Ni-assisted growth of carbon nano-tubes
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology, ISSN 0921-5107, E-ISSN 1873-4944, Vol. 177, nr 17, s. 1542-1546Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The growth of carbon multi-walled nano-tubes (MWCNTs) using metal catalyst (e.g. Ni, Co, and Fe) has been extensively investigated during the last decade. In general, the physical properties of CNTs depend on the type, quality and diameter of the tubes. One of the parameters which affects the diameter of a MWCNT is the size of the catalyst metal islands. Considering Ni as the metal catalyst, the formed silicide layer agglomerates (island formation) after a thermal treatment. One way to decrease the size of Ni islands is to apply SiGe as the base for the growth. In this study, different methods based on substrate engineering are proposed to change/control the MWCNT diameters. These include (i) well-controlled oxide openings containing Ni to miniaturize the metal island size, and (ii) growth on strained or partially relaxed SiGe layers for smaller Ni silicide islands.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2012. Vol. 177, nr 17, s. 1542-1546
Nyckelord [en]
Carbon nano-tube, Hole colloidal lithography, Metal catalyst growth, PECVD, SiGe
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-103536DOI: 10.1016/j.mseb.2012.01.021ISI: 000309853000005Scopus ID: 2-s2.0-84866344927OAI: oai:DiVA.org:kth-103536DiVA, id: diva2:560559
Anmärkning

QC 20121015

Tillgänglig från: 2012-10-15 Skapad: 2012-10-15 Senast uppdaterad: 2017-12-07Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Naureen, ShaguftaRadamson, Henry H.
Av organisationen
Halvledarmaterial, HMAIntegrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology
Annan elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 171 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf