Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
High-Efficiency Power Conversion Using Silicon Carbide Power Electronics
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.ORCID-id: 0000-0002-1755-1365
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.ORCID-id: 0000-0001-7922-3407
Visa övriga samt affilieringar
2013 (Engelska)Ingår i: Proc. of International Conference on silicon carbide and related materials (ICSCRM) 2013, Miyazaki, Japan, Sept. 29–Oct. 4, 2013, Trans Tech Publications Inc., 2013, s. 1083-1088Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

The message of this paper is that the silicon carbide power transistors of today are good enough to design converters with efficiencies and switching speeds beyond comparison with corresponding technology in silicon. This is the time to act. Only in the highest power range the devices are missing. Another important step towards high powers is to find new solutions for multi-chip circuit designs that are adapted to the high possible switching speeds of unipolar silicon carbide power transistors.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications Inc., 2013. s. 1083-1088
Serie
Materials Science Forum, ISSN 0255-5476 ; 778/780
Nyckelord [en]
Power Electronics, Inverter, dc-dc converter, gate-drive circuit, reverse conduction, SiC JFET, SiC BJT, SiC MOSFET, parallel connection, modular multilevel converter
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Forskningsämne
SRA - Energi
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-133315DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.1083ISI: 000336634100257Scopus ID: 2-s2.0-84896095819ISBN: 978-303835010-1 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-133315DiVA, id: diva2:660508
Konferens
International Conference on silicon carbide and related materials (ICSCRM) 2013, Miyazaki, Japan, Sept. 29–Oct. 4, 2013
Forskningsfinansiär
StandUp
Anmärkning

QC 20140626

Tillgänglig från: 2013-10-30 Skapad: 2013-10-30 Senast uppdaterad: 2016-02-26Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Nee, Hans-PeterTolstoy, GeorgColmenares, JuanSadik, Diane

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Nee, Hans-PeterRabkowski, JacekPeftitsis, DimosthenisTolstoy, GeorgColmenares, JuanSadik, DianeAntonopoulos, AntoniosÄngquist, Lennart
Av organisationen
Elektrisk energiomvandling
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 252 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf