Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Evaluation of the drive circuit for a dual gate trench SiC JFET
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.
Acreo.
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.ORCID-id: 0000-0002-1755-1365
2013 (Engelska)Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012, 2013, s. 946-949Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

The paper discusses the switching performance of the dual gate trench SiC JFET. In applications such as dc/dc converters, when fast switching is expected the standard totem-pole driver is not sufficient. The reason for this is that both the internal resistance and the parasitic capacitances of this device are significantly higher than for other designs. Instead, the gate driver with a dynamic current source is proposed in this paper to speed-up the switching process. Performed double-pulse measurements show improved dynamic performance of the tested DGTJFET with the new driver.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2013. s. 946-949
Serie
Materials Science Forum, ISSN 0255-5476 ; 740-742
Nyckelord [en]
Current-source, Dual-gate trench (DGT) JFET, Gate driver, SiC JFET, Switching performance, Current sources, Double pulse, Drive circuits, Dual gates, Dynamic current, Dynamic performance, Fast switching, Gate drivers, Internal resistance, Parasitic capacitance, Switching process, Capacitance, DC-DC converters, Switching, Silicon carbide
Nationell ämneskategori
Materialteknik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-134685DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.946ISI: 000319785500225Scopus ID: 2-s2.0-84874061409ISBN: 9783037856246 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-134685DiVA, id: diva2:676504
Konferens
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2012, 2 September 2012 through 6 September 2012, St. Petersburg
Anmärkning

QC 20131206

Tillgänglig från: 2013-12-06 Skapad: 2013-11-27 Senast uppdaterad: 2013-12-06Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Nee, Hans-Peter

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Rabkowski, JacekPeftitsis, DimosthenisNee, Hans-Peter
Av organisationen
Elektrisk energiomvandling
Materialteknik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 55 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf