Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Room-temperature operation of 980-nm transistor-vertical-cavity surface-emitting lasers
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0002-9040-4740
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
Visa övriga samt affilieringar
2013 (Engelska)Ingår i: 2013 IEEE 6th International Conference on Advanced Infocomm Technology, ICAIT 2013, IEEE , 2013, s. 141-142Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

We report on the design, fabrication and characterization of pnp-type 980-nm transistor-vertical-cavity surface-emitting lasers (T-VCSELs). Using an epitaxial regrowth process and a triple-intracavity current injection scheme we demonstrate static performance levels quite comparable to those of conventional VCSELs, including sub-mA threshold base current, mW-range output power and continuous-wave operation at least up to 50°C.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE , 2013. s. 141-142
Nyckelord [en]
transistor laser, transistor VCSEL, VCSEL
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-139896DOI: 10.1109/ICAIT.2013.6621535ISI: 000342413300064Scopus ID: 2-s2.0-84888250896ISBN: 978-147990465-5 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-139896DiVA, id: diva2:688197
Konferens
2013 IEEE 6th International Conference on Advanced Infocomm Technology, ICAIT 2013; Hsinchu; Taiwan; 6 July 2013 through 9 July 2013
Anmärkning

QC 20140116

Tillgänglig från: 2014-01-16 Skapad: 2014-01-15 Senast uppdaterad: 2014-11-03Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. Developments for Improved Performance Vertical-Cavity Surface Emitting Lasers
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>Developments for Improved Performance Vertical-Cavity Surface Emitting Lasers
2014 (Engelska)Licentiatavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Abstract [en]

The vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) is a type of laser diode that emits light from the surface of the chip from which it is manufactured rather than from a cleaved edge as so far has been common for most telecommunication lasers. VCSEL’s low cost, high power efficiency and low power consumption properties make it a very attractive signal source for many applications such as fiber optical communication, optical interconnects, 3D sensing, absorption spectroscopy, laser printing, etc.

In this work, we have developed and evaluated new designs and technologies for extending the performance of VCSELs based on the GaAs material system. A novel scheme for single-mode emission from large size VCSELs, with active region size up to 10 μm, is proposed and discussed. Oxide-free designs of the VCSEL structure either based on an epitaxially regrown p-n-p layer or a buried tunnel junction (BTJ) for lateral current confinement are fabricated and characterized; the latter scheme yielding significant dynamic and static performance improvement as compared to epitaxially regrown design. In addition, the first room-temperature operation of a heterojunction bipolar transistor (HBT) 980nm VCSEL, a so-called transistor-VCSEL, is demonstrated. This novel three-terminal operational VCSEL is believed to have the potential for a ultrahigh modulation bandwidth due to altered carrier dynamics in the cavity region.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Stockholm: KTH Royal Institute of Technology, 2014. s. 61
Serie
TRITA-ICT/MAP AVH, ISSN 1653-7610 ; 2014:11
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-146641 (URN)978-91-7595-164-5 (ISBN)
Presentation
2014-06-13, Sal/hall D, KTH-ICT, Isafjordgatan 39, Kista, 10:00 (Engelska)
Opponent
Handledare
Anmärkning

QC 20140612

Tillgänglig från: 2014-06-12 Skapad: 2014-06-12 Senast uppdaterad: 2014-06-13Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Hammar, Mattias

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hammar, MattiasXiang, YuYu, XingangBerggren, JesperZabel, Thomas
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 113 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf