Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Fabrication of strained Ge on insulator via room temperature wafer bonding
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0001-6705-1660
Visa övriga samt affilieringar
2014 (Engelska)Ingår i: 2014 15th International Conference on Ultimate Integration on Silicon, ULIS 2014, IEEE Computer Society, 2014, s. 81-84Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

This work describes a strained germanium on insulator (GeOI) fabrication process using wafer bonding and etch-back techniques. The strained Ge layer is fabricated epitaxially using reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD). The strained Ge is grown pseudomorphic on top of a partially relaxed Si 0.66Ge0.34 layer. Wafer bonding is performed at room temperature without post-anneal processes and the etch-back steps are performed without mechanical grinding and chemical mechanical polishing (CMP).

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE Computer Society, 2014. s. 81-84
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-146687DOI: 10.1109/ULIS.2014.6813911ISI: 000341731300021Scopus ID: 2-s2.0-84901380569ISBN: 978-1-4799-3718-9 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-146687DiVA, id: diva2:725331
Konferens
2014 15th International Conference on Ultimate Integration on Silicon, ULIS 2014; Stockholm; Sweden; 7 April 2014 through 9 April 2014
Anmärkning

QC 20140616

Tillgänglig från: 2014-06-16 Skapad: 2014-06-13 Senast uppdaterad: 2014-10-09Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Hellström, Per-Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Asadollahi, AliRadamson, HenryZabel, ThomasHellström, Per-ErikÖstling, Mikael
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 309 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf