Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Gate Control and System Aspects of Silicon Carbide JFETs
KTH, Tidigare Institutioner                               , Elektrotekniska system.
2002 (Engelska)Licentiatavhandling, monografi (Övrigt vetenskapligt)
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Stockholm: Elektrotekniska system , 2002. , s. xii, 144
Serie
Trita-ETS, ISSN 1650-674X ; 2002-06
Nyckelord [en]
Power JFET, Silicon Carbide, PSpice, Simulations, Gate drive, Blanking times, Normally-on.
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-1443ISBN: (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kth-1443DiVA, id: diva2:7318
Anmärkning
NR 20140805Tillgänglig från: 2002-06-19 Skapad: 2002-06-19Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Av organisationen
Elektrotekniska system

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 147 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf