Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Effective reduction of trap density at the Y2O3/Ge interface by rigorous high-temperature oxygen annealing
Visa övriga samt affilieringar
2014 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 116, nr 21, s. 214111-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The impact of thermal post deposition annealing in oxygen at different temperatures on the Ge/Y2O3 interface is investigated using metal oxide semiconductor capacitors, where the yttrium oxide was grown by atomic layer deposition from tris(methylcyclopentadienyl) yttrium and H2O precursors on n-type (100)-Ge substrates. By performing in-situ X-ray photoelectron spectroscopy, the growth of GeO during the first cycles of ALD was proven and interface trap densities just below 1 x 10(11) eV(-1) cm(-2) were achieved by oxygen annealing at high temperatures (550 degrees C-600 degrees C). The good interface quality is most likely driven by the growth of interfacial GeO2 and thermally stabilizing yttrium germanate.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2014. Vol. 116, nr 21, s. 214111-
Nyckelord [en]
Annealing, Atomic layer deposition, Charge coupled devices, Deposition, Germanium, Interfaces (materials), MOS devices, Oxygen, Yttrium, Yttrium alloys, Yttrium oxide, Ge substrates, High temperature, Interface quality, Interface trap density, Metal-oxide-semiconductor capacitors, Oxygen annealing, Post deposition annealing, Situ x-ray photoelectron spectroscopy
Nationell ämneskategori
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-158435DOI: 10.1063/1.4903533ISI: 000346007400041Scopus ID: 2-s2.0-84916613141OAI: oai:DiVA.org:kth-158435DiVA, id: diva2:777817
Anmärkning

QC 20150109

Tillgänglig från: 2015-01-09 Skapad: 2015-01-08 Senast uppdaterad: 2017-12-05Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Henkel, Christoph
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 182 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf